DMN2005K-7
DIODES(美台)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.3744
45,321
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,2.7V
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价格(含税)
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批次
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渠道
DMN2005K-7
DIODES(美台)
SOT-23

500+:¥0.3744

150+:¥0.4194

50+:¥0.4795

5+:¥0.5996

2980

-
立即发货
DMN2005K-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.38

1+:¥0.407

10554

25+
立即发货
DMN2005K-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.3952

1+:¥0.42328

10537

25+
1-2工作日发货
DMN2005K-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.418

6000+:¥0.4512

3000+:¥0.475

800+:¥0.665

200+:¥0.95

10+:¥1.5461

10544

-
DMN2005K-7
DIODES(美台)
SOT-23

600+:¥0.4292

50+:¥0.4751

5+:¥0.5929

496

-
立即发货
DMN2005K-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23

100+:¥0.441

1+:¥0.5194

220

2333
现货最快4H发
DMN2005K-7
Diodes(达尔)
SOT-23-3

3000+:¥0.494

1500+:¥0.5291

200+:¥0.5811

80+:¥0.7139

10544

-
3天-15天
DMN2005K-7
DIODES(美台)
SOT23-3

3000+:¥0.52

600+:¥0.63

200+:¥0.71

10+:¥0.85

10000

19+/23+
DMN2005K-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.4056

1500+:¥0.43368

200+:¥0.47736

1+:¥0.69264

10689

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,2.7V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.7 欧姆 @ 200mA,2.7V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 100µA
Vgs(最大值) ±10V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3