DMN2004K-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.2132
60,332
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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DMN2004K-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.205

1+:¥0.232

17874

24+
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DMN2004K-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.2132

1+:¥0.24128

17568

24+
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DMN2004K-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.2255

6000+:¥0.2435

3000+:¥0.2563

800+:¥0.3588

100+:¥0.5126

20+:¥0.8342

17574

-
DMN2004K-7
DIODES(美台)
SOT-23

1200+:¥0.2501

600+:¥0.2526

100+:¥0.278

10+:¥0.354

1033

-
立即发货
DMN2004K-7
DIODES(美台)
SOT-23

300+:¥0.2552

100+:¥0.2957

10+:¥0.3766

2310

-
立即发货
DMN2004K-7
Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.2665

1500+:¥0.3016

200+:¥0.3471

100+:¥0.5356

17574

-
3天-15天
DMN2004K-7
DIODES(美台)
SOT-23(SOT-23-3)

100+:¥0.287

30+:¥0.287

10+:¥0.328

5+:¥0.411

4270

20+/21+
DMN2004K-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.2132

1500+:¥0.24128

200+:¥0.27768

1+:¥0.42848

17874

--
1-3工作日
DMN2004K-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23

1+:¥0.2652

3

2238
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 630mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 550 毫欧 @ 540mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 150 pF @ 16 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3