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DMN13H750S-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：130 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMN13H750S-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.6 1+:￥0.645 |
1538 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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DMN13H750S-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.624 1+:￥0.6708 |
1531 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMN13H750S-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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6000+:￥0.6299 3000+:￥0.6694 500+:￥0.7351 150+:￥0.8827 50+:￥1.001 5+:￥1.2771 |
8175 |
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立即发货
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立创商城
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DMN13H750S-7
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.6842 6000+:￥0.7386 3000+:￥0.7775 800+:￥1.0885 200+:￥1.555 10+:￥2.5308 |
3000 |
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油柑网
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DMN13H750S-7
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Diodes(达尔)
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SOT-23
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1500+:￥0.7095 200+:￥0.8151 50+:￥1.0604 |
1538 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMN13H750S-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.75 500+:￥0.8 150+:￥0.9 50+:￥1.0 1+:￥1.3 |
454 |
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立即发货
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华秋商城
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DMN13H750S-7
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DIODES(美台)
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SOT-23(SOT-23-3)
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100+:￥0.414 30+:￥0.425 10+:￥0.437 5+:￥0.444 |
0 |
20+/21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 130 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 750 毫欧 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 5.6 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 231 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 770mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |