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DMN1150UFB-7B
DIODES(美台)
DFN-3L(0.6x1)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.41A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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DMN1150UFB-7B
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DIODES(美台)
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X1-DFN1006-3
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10000+:￥0.29 1+:￥0.316 |
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19+
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圣禾堂
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DMN1150UFB-7B
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Diodes(美台)
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X1-DFN1006-3
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10000+:￥0.3016 1+:￥0.32864 |
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19+
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硬之城
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美台(DIODES)
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DFN-3L(0.6x1)
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100000+:￥0.319 20000+:￥0.3444 10000+:￥0.3625 1000+:￥0.5075 100+:￥0.725 20+:￥1.18 |
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油柑网
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Diodes(达尔)
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X1-DFN1006-3
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500+:￥0.4745 100+:￥0.5226 80+:￥0.6413 |
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3天-15天
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唯样商城
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Diodes(美台)
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X1-DFN1006-3
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10000+:￥0.3016 5000+:￥0.32864 2500+:￥0.35152 500+:￥0.3796 100+:￥0.41808 1+:￥0.60632 |
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1-3工作日
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硬之城
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DIODES(美台)
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X1-DFN1006-3
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100+:￥0.1407 30+:￥0.1482 10+:￥0.1507 1+:￥0.1633 |
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华秋商城
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DIODES(美台)
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DFN-3L(0.6x1)
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150+:￥0.4577 50+:￥0.528 5+:￥0.6687 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.41A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 106 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN |