咨询/建议
DMN10H220L-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
DMN10H220L-7
|
DIODES(美台)
|
SOT23
|
3000+:￥0.382 1+:￥0.409 |
314 |
23+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
DMN10H220L-7
|
DIODES(美台)
|
SOT-23
|
6000+:￥0.3894 3000+:￥0.4142 500+:￥0.4814 150+:￥0.5434 50+:￥0.6261 5+:￥0.7915 |
7850 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
DMN10H220L-7
|
美台(DIODES)
|
SOT-23
|
30000+:￥0.4269 6000+:￥0.4608 3000+:￥0.4851 800+:￥0.6791 200+:￥0.9702 10+:￥1.579 |
1194 |
-
|
油柑网
|
|
|
DMN10H220L-7
|
DIODES(美台)
|
SOT-23
|
1200+:￥0.4575 600+:￥0.4621 50+:￥0.6011 5+:￥0.7598 |
970 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
DMN10H220L-7
|
Diodes(达尔)
|
SOT-23
|
200+:￥0.585 70+:￥0.7172 |
209 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
DMN10H220L-7
|
Diodes(美台)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.39728 1+:￥0.42536 |
40 |
23+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
DMN10H220L-7
|
Diodes(美台)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.39728 1+:￥0.42536 |
33 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
DMN10H220L-7
|
Diodes(美台)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.39728 1500+:￥0.42536 200+:￥0.468 1+:￥0.67808 |
524 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
|
DMN10H220L-7
|
DIODES(美台)
|
SOT-23(SOT-23-3)
|
100+:￥0.376 30+:￥0.376 10+:￥0.376 5+:￥0.386 |
0 |
20+/21+
|
在芯间
|
|
|
DMN10H220L-7
|
DIODES INCORPORATED
|
SOT-23
|
1+:￥0.5155 |
5 |
19+
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 220 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 8.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 401 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |