咨询/建议
DMN10H120SE-13
DIODES(美台)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
DMN10H120SE-13
|
DIODES(美台)
|
SOT223
|
2500+:￥0.872 1+:￥0.924 |
2842 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
DMN10H120SE-13
|
DIODES(美台)
|
SOT-223
|
1000+:￥0.873 500+:￥0.9409 100+:￥1.0476 30+:￥1.2901 10+:￥1.53 1+:￥1.99 |
5379 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
DMN10H120SE-13
|
Diodes(达尔)
|
SOT-223-3
|
2500+:￥0.9592 1250+:￥1.0164 100+:￥1.166 40+:￥1.518 |
2842 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
DMN10H120SE-13
|
美台(DIODES)
|
SOT-223
|
25000+:￥0.9823 5000+:￥1.0605 2500+:￥1.1163 800+:￥1.5628 200+:￥2.2326 10+:￥3.6334 |
20000 |
-
|
油柑网
|
|
|
DMN10H120SE-13
|
DIODES(美台)
|
SOT-223
|
30+:￥1.33 10+:￥1.53 1+:￥1.99 |
5742 |
20+/21+
|
在芯间
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 110 毫欧 @ 3.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 549 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |