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DMG3420U-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.47A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMG3420U-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.185 1+:￥0.209 |
98508 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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DMG3420U-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.1924 1+:￥0.21736 |
98503 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMG3420U-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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9000+:￥0.1938 6000+:￥0.2055 3000+:￥0.229 300+:￥0.2766 100+:￥0.3158 10+:￥0.3942 |
9050 |
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立即发货
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立创商城
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DMG3420U-7
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DIODES(美台)
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SOT23-3
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3000+:￥0.232 300+:￥0.274 100+:￥0.311 10+:￥0.402 |
8857 |
22+/23+
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在芯间
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DMG3420U-7
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Diodes(达尔)
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SOT-23
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1500+:￥0.2717 200+:￥0.3133 110+:￥0.4849 |
98508 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMG3420U-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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500+:￥0.2781 100+:￥0.2862 10+:￥0.3267 1+:￥0.3402 |
493 |
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立即发货
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华秋商城
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DMG3420U-7
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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90000+:￥0.176 60000+:￥0.198 3000+:￥0.22 |
120000 |
21+
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5-7工作日
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云汉芯城
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DMG3420U-7
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23-3
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2000+:￥0.1848 300+:￥0.2014 100+:￥0.2199 30+:￥0.2421 10+:￥0.2938 1+:￥0.3548 |
468 |
21+
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1工作日
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云汉芯城
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DMG3420U-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.1924 1500+:￥0.21736 200+:￥0.25064 1+:￥0.38792 |
99108 |
--
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1-3工作日
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硬之城
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DMG3420U-7
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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24000+:￥0.2013 12000+:￥0.2065 6000+:￥0.21 3000+:￥0.2275 |
183000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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DMG3420U-7
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DIODES(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.2054 1500+:￥0.232 200+:￥0.2675 1+:￥0.414 |
99386 |
25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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DMG3420U-7
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DIODES
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SOT-23-3
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3000+:￥0.2267 300+:￥0.2738 100+:￥0.3132 10+:￥0.3915 |
6227 |
22+
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1-3工作日
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云汉芯城
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DMG3420U-7
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DIODES(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.2478 1+:￥0.2963 |
100116 |
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6-8工作日
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云汉芯城
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DMG3420U-7
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DIODES
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SOT-23-3
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300+:￥0.2796 100+:￥0.3193 10+:￥0.3997 |
1219 |
2208+
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1工作日
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云汉芯城
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DMG3420U-7
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.1738 6000+:￥0.1876 3000+:￥0.1975 800+:￥0.2765 100+:￥0.395 20+:￥0.6429 |
0 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.47A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 29 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 5.4 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 434.7 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 740mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |