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DMG3415UFY4Q-7
DIODES(美台)
X2-DFN2015-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：16 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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DMG3415UFY4Q-7
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DIODES(美台)
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3000+:￥0.74 1+:￥0.798 |
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圣禾堂
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Diodes(美台)
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硬之城
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美台(DIODES)
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30000+:￥0.814 6000+:￥0.8788 3000+:￥0.925 800+:￥1.295 100+:￥1.85 20+:￥3.011 |
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油柑网
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Diodes(达尔)
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3000+:￥0.814 1500+:￥0.8778 750+:￥0.9658 100+:￥1.155 40+:￥1.507 |
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3天-15天
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唯样商城
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DIODES(美台)
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150+:￥1.0952 50+:￥1.2413 5+:￥1.5821 |
330 |
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立创商城
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500+:￥1.1469 150+:￥1.2411 50+:￥1.3167 5+:￥1.493 |
1980 |
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3000+:￥0.7696 1500+:￥0.82992 750+:￥0.91312 100+:￥1.092 1+:￥1.4248 |
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1-3工作日
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DIODES(美台)
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39000+:￥0.8203 18000+:￥0.8281 3000+:￥0.8325 1500+:￥0.8969 750+:￥0.9868 100+:￥1.1877 1+:￥1.5429 |
2710 |
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2-4工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 16 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 39 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 282 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 650mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-XDFN |