咨询/建议
DMG3415U-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMG3415U-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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6000+:￥0.2872 3000+:￥0.3068 500+:￥0.3602 150+:￥0.409 50+:￥0.474 5+:￥0.6041 |
11550 |
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立即发货
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立创商城
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DMG3415U-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.29 1+:￥0.328 |
10904 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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DMG3415U-7
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Diodes(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.3016 1+:￥0.34112 |
10836 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMG3415U-7
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.3289 6000+:￥0.3551 3000+:￥0.3738 800+:￥0.5233 200+:￥0.7476 10+:￥1.2167 |
18000 |
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油柑网
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DMG3415U-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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500+:￥0.332 300+:￥0.35 100+:￥0.395 10+:￥0.45 5+:￥0.55 |
2044 |
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立即发货
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华秋商城
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DMG3415U-7
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Diodes(达尔)
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SOT-23
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3000+:￥0.377 1500+:￥0.4264 200+:￥0.4901 80+:￥0.6424 |
10842 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMG3415U-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.3016 1500+:￥0.34112 200+:￥0.39208 1+:￥0.60736 |
11595 |
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1-3工作日
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硬之城
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DMG3415U-7
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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24000+:￥0.3188 12000+:￥0.3271 6000+:￥0.3326 3000+:￥0.3604 |
30000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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DMG3415U-7
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DIODES(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.3219 1500+:￥0.3641 200+:￥0.4185 1+:￥0.6482 |
12000 |
25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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DMG3415U-7
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23-3
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500+:￥0.3424 150+:￥0.3908 50+:￥0.456 5+:￥0.5873 |
755 |
22+
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1工作日
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云汉芯城
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DMG3415U-7
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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15000+:￥0.3472 10000+:￥0.3503 6000+:￥0.3565 2500+:￥0.3689 |
3000 |
24+
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3-5工作日
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云汉芯城
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DMG3415U-7
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DIODES
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SOT-23-3
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500+:￥0.3599 150+:￥0.4093 50+:￥0.486 5+:￥0.6203 |
523 |
2328+
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1工作日
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云汉芯城
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DMG3415U-7
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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30000+:￥0.3887 15000+:￥0.3988 9000+:￥0.4124 3000+:￥0.4225 |
9000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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DMG3415U-7
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DIODES(美台)
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SOT-23(SOT-23-3)
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100+:￥0.314 30+:￥0.314 10+:￥0.314 5+:￥0.322 |
0 |
20+/21+
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在芯间
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DMG3415U-7
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23
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1+:￥3.895 |
9 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 39 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 9.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 294 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 900mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |