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DMG3406L-13
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMG3406L-13
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DIODES(美台)
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SOT23
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10000+:￥0.28 1+:￥0.305 |
10018 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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DMG3406L-13
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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10000+:￥0.2912 1+:￥0.3172 |
10015 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMG3406L-13
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DIODES(美台)
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SOT-23
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5000+:￥0.2968 2500+:￥0.317 500+:￥0.3618 150+:￥0.4122 50+:￥0.4794 5+:￥0.6138 |
8105 |
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立即发货
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立创商城
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DMG3406L-13
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美台(DIODES)
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SOT-23
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100000+:￥0.308 20000+:￥0.3325 10000+:￥0.35 1000+:￥0.49 100+:￥0.7 20+:￥1.1393 |
10018 |
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油柑网
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DMG3406L-13
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Diodes(达尔)
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SOT-23-3
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10000+:￥0.364 5000+:￥0.3965 2500+:￥0.4251 500+:￥0.4589 100+:￥0.5044 90+:￥0.6193 |
10018 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMG3406L-13
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DIODES INCORPORATED
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100+:￥0.3773 1+:￥0.4528 |
402 |
2308
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现货最快4H发
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京北通宇
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DMG3406L-13
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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10000+:￥0.2912 1+:￥0.3172 |
16 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMG3406L-13
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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10000+:￥0.2912 5000+:￥0.3172 2500+:￥0.34008 500+:￥0.36712 100+:￥0.40352 1+:￥0.58552 |
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1-3工作日
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 11.2 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 495 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 770mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |