DMG3402L-7
DIODES(美台)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.2045
53,560
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
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DMG3402L-7
DIODES(美台)
SOT-23

9000+:¥0.2045

6000+:¥0.2098

3000+:¥0.2203

300+:¥0.2335

100+:¥0.2511

10+:¥0.2863

16320

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DMG3402L-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.22

1+:¥0.249

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Diodes(美台)
SOT-23

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DMG3402L-7
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.23

300+:¥0.25

100+:¥0.3

1+:¥0.38

3005

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DMG3402L-7
Diodes(达尔)
SOT-23-3

3000+:¥0.286

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90+:¥0.5759

18636

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 52 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 11.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 464 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3