DMG301NU-13
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.332
36,313
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):25 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V
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DMG301NU-13
DIODES(美台)
SOT23

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1+:¥0.362

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DMG301NU-13
DIODES(美台)
SOT-23

5000+:¥0.3426

2500+:¥0.3659

500+:¥0.4124

150+:¥0.4705

50+:¥0.5481

5+:¥0.7032

6920

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DMG301NU-13
Diodes(美台)
SOT-23-3

10000+:¥0.34528

1+:¥0.37648

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2年内
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DMG301NU-13
Diodes(达尔)
SOT-23-3

5000+:¥0.4706

2500+:¥0.5044

500+:¥0.5434

100+:¥0.598

70+:¥0.7348

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DMG301NU-13
DIODES INCORPORATED

1+:¥0.57

130

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DMG301NU-13
美台(DIODES)
SOT-23-3

5000+:¥0.6221

2500+:¥0.7154

500+:¥0.7776

150+:¥0.8709

50+:¥1.0576

5+:¥1.2442

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 260mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.7V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4 欧姆 @ 400mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.36 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 27.9 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 320mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3