DMG2301L-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.17
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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300+:¥0.2492

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Diodes(达尔)
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3000+:¥0.255

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Diodes Incorporated
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60000+:¥0.168

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3000+:¥0.1768

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1+:¥0.35568

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1-3工作日
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9000+:¥0.1791

3000+:¥0.1887

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500+:¥0.222

100+:¥0.2486

10+:¥0.3219

1+:¥0.3481

406

2416+
1工作日
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DIODES(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.1887

1500+:¥0.2131

200+:¥0.2442

1+:¥0.3796

6403

25+
2-4工作日
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Diodes Incorporated
SOT-23-3

150000+:¥0.1907

75000+:¥0.1907

15000+:¥0.1907

3000+:¥0.1907

60000

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3-5工作日
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DIODES(美台)
SOT-23-3

1001+:¥0.3462

999+:¥0.3492

998+:¥0.3552

997+:¥0.3763

5621

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6-8工作日
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Diodes Incorporated
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300+:¥0.351

100+:¥0.354

50+:¥0.36

50

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3-5工作日
DMG2301L-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.1478

6000+:¥0.1596

3000+:¥0.168

800+:¥0.2352

100+:¥0.336

20+:¥0.5468

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 120 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 476 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3