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DMG1013T-7
DIODES(美台)
SOT-523
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：460mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMG1013T-7
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DIODES(美台)
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SOT523
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3000+:￥0.088 1+:￥0.111 |
32475 |
22+
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立即发货
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圣禾堂
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DMG1013T-7
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Diodes(美台)
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SOT-523-3
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3000+:￥0.09152 1+:￥0.11544 |
32223 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMG1013T-7
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美台(DIODES)
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SOT-523
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30000+:￥0.0968 6000+:￥0.1045 3000+:￥0.11 800+:￥0.154 100+:￥0.22 20+:￥0.3581 |
32507 |
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油柑网
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DMG1013T-7
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DIODES(美台)
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SOT-523
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3000+:￥0.121 600+:￥0.146 200+:￥0.148 20+:￥0.166 |
3555 |
21+/20+
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在芯间
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DMG1013T-7
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Diodes(达尔)
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SOT-523
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3000+:￥0.132 1500+:￥0.1665 200+:￥0.2655 90+:￥0.5852 |
32475 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 460mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 700 毫欧 @ 350mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.622 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 59.76 pF @ 16 V |
| 功率耗散（最大值） | 270mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-523 |