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DMG1012TQ-7
DIODES(美台)
SOT-523
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：630mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMG1012TQ-7
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DIODES(美台)
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SOT523
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3000+:￥0.19 1+:￥0.215 |
8960 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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DMG1012TQ-7
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Diodes(美台)
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SOT-523
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3000+:￥0.1976 1+:￥0.2236 |
8878 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMG1012TQ-7
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美台(DIODES)
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SOT-523
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30000+:￥0.209 6000+:￥0.2256 3000+:￥0.2375 800+:￥0.3325 100+:￥0.475 20+:￥0.7731 |
8886 |
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油柑网
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DMG1012TQ-7
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DIODES(美台)
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SOT-523
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6000+:￥0.2467 3000+:￥0.2731 300+:￥0.3062 100+:￥0.3503 10+:￥0.4384 |
6640 |
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立即发货
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立创商城
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DMG1012TQ-7
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Diodes(达尔)
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SOT-523
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1500+:￥0.2795 200+:￥0.3211 110+:￥0.4979 |
8886 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMG1012TQ-7
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Diodes(美台)
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SOT-523-3
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3000+:￥0.1976 1500+:￥0.2236 200+:￥0.25688 1+:￥0.39832 |
9000 |
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1-3工作日
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硬之城
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DMG1012TQ-7
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Diodes Incorporated
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SOT-523
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24000+:￥0.2185 12000+:￥0.2242 6000+:￥0.228 3000+:￥0.247 |
6000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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DMG1012TQ-7
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DIODES(美台)
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SOT-523-3
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7+:￥0.4121 |
7 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 630mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.74 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60.67 pF @ 16 V |
| 功率耗散（最大值） | 280mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-523 |