DMC2400UV-7
DIODES(美台)
SOT-563
¥0.205
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):20V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.03A,700mA,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):480 毫欧 @ 200mA,5V
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SOT563

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DMC2400UV-7
Diodes(美台)
SOT-563-6

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1+:¥0.24024

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DMC2400UV-7
美台(DIODES)
SOT-563

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6000+:¥0.2465

3000+:¥0.2595

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SOT-563

10+:¥0.241

6730

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DMC2400UV-7
DIODES INCORPORATED
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1+:¥0.2744

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.03A,700mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 480 毫欧 @ 200mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 37.1pF @ 10V
功率 - 最大值 450mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666