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DGD0507AFN-7
DIODES(美台)
DFN3030-10-EP
栅极驱动芯片
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 14V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DGD0507AFN-7
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DIODES(美台)
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DFN3030-10-EP
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100+:￥4.6452 30+:￥4.7163 10+:￥5.3934 1+:￥6.1281 |
25 |
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立即发货
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立创商城
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DGD0507AFN-7
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DIODES(美台)
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W-DFN3030-10
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1000+:￥5.97 500+:￥5.97 200+:￥6.06 1+:￥6.19 |
25 |
19+/20+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 |
| 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 8V ~ 14V |
| 逻辑电压\xa0- VIL，VIH | 0.8V，2.4V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 1.5A，2A |
| 输入类型 | CMOS/TTL |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 50 V |
| 上升/下降时间（典型值） | 16ns，18ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 10-WFDFN 裸露焊盘 |