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CSD25404Q3
TI(德州仪器)
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：104A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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TI(德州仪器)
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VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
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1000+:￥2.744 500+:￥2.9008 100+:￥3.2144 30+:￥3.8 10+:￥4.34 1+:￥5.4 |
150 |
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立即发货
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立创商城
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Texas Instruments
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2000+:￥3.2323 500+:￥3.3488 10+:￥3.64 |
229 |
22+
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3-5工作日
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云汉芯城
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Texas Instruments
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3000+:￥3.7744 2000+:￥3.8755 1000+:￥3.9766 |
34331 |
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10-12工作日
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云汉芯城
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CSD25404Q3
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TI(德州仪器)
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VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
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2500+:￥2.61 1+:￥2.73 |
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立即发货
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圣禾堂
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CSD25404Q3
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TI(德州仪器)
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VSON-CLIP-8
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1000+:￥3.058 500+:￥3.058 200+:￥3.058 1+:￥3.058 |
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19+/20+
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在芯间
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德州仪器(TI)
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VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
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500+:￥4.24 100+:￥4.876 30+:￥5.936 10+:￥7.208 1+:￥8.48 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 104A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 毫欧 @ 10A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.15V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 14.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2120 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），96W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:Philippines;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:2 |