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CSD19538Q3A
TI(德州仪器)
VSONP-8(3.3x3.3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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封装
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价格(含税)
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TI(德州仪器)
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8-VSONP（3x3.15）
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2500+:￥1.15 1+:￥1.22 |
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圣禾堂
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VSONP-8(3.3x3.3)
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1000+:￥1.1564 500+:￥1.225 100+:￥1.3426 30+:￥1.65 10+:￥1.87 1+:￥2.38 |
10024 |
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VSONP-8(3x3.15)
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2500+:￥1.196 1+:￥1.2688 |
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硬之城
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VSONP-8
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500+:￥1.21 100+:￥1.35 30+:￥1.64 5+:￥2.11 |
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22+/23+
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在芯间
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8-VSONP(3x3.15)
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1250+:￥1.342 100+:￥1.54 30+:￥2.002 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 59 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 454 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），23W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |