CSD19538Q3A
TI(德州仪器)
VSONP-8(3.3x3.3)
¥0.8047
19,746
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
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CSD19538Q3A
TI(德州仪器)
8-VSONP(3x3.15)

2500+:¥1.15

1+:¥1.22

1804

25+
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VSONP-8(3.3x3.3)

1000+:¥1.1564

500+:¥1.225

100+:¥1.3426

30+:¥1.65

10+:¥1.87

1+:¥2.38

10024

-
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2500+:¥1.196

1+:¥1.2688

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TI(德州仪器)
VSONP-8

500+:¥1.21

100+:¥1.35

30+:¥1.64

5+:¥2.11

4775

22+/23+
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8-VSONP(3x3.15)

1250+:¥1.342

100+:¥1.54

30+:¥2.002

1524

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 59 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 4.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 454 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),23W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:China
晶圆地(城市)(CSO) TI:Chengdu, CN
封装地(国家/地区)(ACO) External:China
封装地(城市)(ASO) External:1