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TI(德州仪器)
TO-263-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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TI(德州仪器)
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TO-263-3
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1000+:￥11.8305 500+:￥12.1968 100+:￥12.9888 30+:￥14.88 10+:￥16.61 1+:￥19.52 |
566 |
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立即发货
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立创商城
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Texas Instruments
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DDPAK，TO-263-3
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3000+:￥16.3968 2000+:￥16.836 1000+:￥17.2752 |
4742 |
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10-12工作日
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云汉芯城
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TI(德州仪器)
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TO-263-3
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1000+:￥11.693 500+:￥11.693 200+:￥11.693 1+:￥11.693 |
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19+/20+
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在芯间
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德州仪器(TI)
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TO-263-3
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30+:￥19.6533 10+:￥23.584 1+:￥35.3759 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.4 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 98 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7930 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |