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CSD19534Q5A
TI(德州仪器)
8-PowerTDFN
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：44A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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封装
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价格(含税)
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渠道
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TI(德州仪器)
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PDFN-8(5x6)
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2500+:￥2.33 1+:￥2.44 |
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圣禾堂
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TI(德州仪器)
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2500+:￥2.4232 1+:￥2.5376 |
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硬之城
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1000+:￥2.4794 500+:￥2.6264 100+:￥3.185 30+:￥3.74 10+:￥4.22 1+:￥5.2 |
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德州仪器(TI)
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PDFN-8(5x6)
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25000+:￥2.563 5000+:￥2.7669 2500+:￥2.9125 800+:￥4.0775 200+:￥5.825 10+:￥9.0288 |
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油柑网
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2500+:￥2.563 1250+:￥2.684 100+:￥2.948 20+:￥3.542 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 44A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15.1 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 22 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1680 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），63W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |