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TI(德州仪器)
VSONP-8(3.3x3.3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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价格(含税)
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1000+:￥1.3365 500+:￥1.4256 100+:￥1.5741 30+:￥1.92 10+:￥2.19 1+:￥2.82 |
4513 |
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500+:￥1.508 100+:￥1.586 10+:￥1.742 1+:￥1.807 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.9 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 14.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1150 pF @ 30 V |
| FET 功能 | 标准 |
| 功率耗散（最大值） | 66W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China;Japan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN;Aizuwakamatsu, JP |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |