CSD18534Q5A
TI(德州仪器)
SON-8(5x6)
¥1.5392
22,488
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A(Ta),50A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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TI(德州仪器)
8-VSONP(5x6)

2500+:¥1.5

1+:¥1.57

4689

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TI(德州仪器)
VSONP-8(5x6)

2500+:¥1.5392

1+:¥1.612

4420

25+
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TI(德州仪器)
8-PowerTDFN

2500+:¥1.628

1250+:¥1.705

100+:¥1.969

20+:¥2.552

4423

-
3天-15天
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TI(德州仪器)
SON-8(5x6)

1000+:¥1.6366

500+:¥1.7444

100+:¥2.1756

30+:¥2.62

10+:¥2.94

1+:¥3.68

8707

-
立即发货
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TI(德州仪器)
VSONP-8(5x6)

5000+:¥1.7792

1000+:¥1.81224

500+:¥1.84528

100+:¥1.87667

10+:¥1.8998

2226

25+
现货
CSD18534Q5A
德州仪器(TI)
VSONP-8

25000+:¥2.2374

5000+:¥2.4154

2500+:¥2.5425

800+:¥3.5595

200+:¥5.085

10+:¥8.2758

227

-
CSD18534Q5A
TI(德州仪器)
VSONP8_6X5MM_SM

100+:¥2.8589

30+:¥3.0148

10+:¥3.0668

1+:¥3.3267

115

-
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CSD18534Q5A
TI(德州仪器)
VSONP-8

500+:¥6.63

100+:¥8.67

20+:¥10.17

1+:¥12.03

2300

21+/24+
CSD18534Q5A
TI
[(DQJ), 8]

1+:¥8.9259

70

-
现货最快4H发
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Texas Instruments
VSONP-8

1000+:¥1.6172

500+:¥1.7152

100+:¥2.1758

30+:¥2.5146

10+:¥2.8314

1+:¥3.4848

2278

2516+
1工作日
CSD18534Q5A
Texas Instruments
VSONP-8

1000+:¥1.6482

500+:¥1.757

10+:¥1.8862

25739

-
3-6工作日
CSD18534Q5A
TI(德州仪器)
VSONP-8(5x6)

2500+:¥1.664

1250+:¥1.7368

100+:¥2.0072

1+:¥2.6104

2236

--
1-3工作日
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Texas Instruments
VSONP-8

1500+:¥1.749

1000+:¥1.8126

500+:¥1.8762

231141

-
3-5工作日
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Texas Instruments
VSONP-8

7500+:¥1.76

5000+:¥1.92

2500+:¥2.08

10000

-
10-15工作日
CSD18534Q5A
Texas Instruments
VSONP-8

2500+:¥1.767

1000+:¥1.8408

500+:¥1.9625

25000

24+
3-5工作日
CSD18534Q5A
TEXAS INSTRUMENTS
VSONP-8

2500+:¥1.8424

300+:¥1.9898

100+:¥2.0266

30+:¥2.4504

10+:¥2.6899

1+:¥3.1321

2500

25+
1-3工作日
CSD18534Q5A
Texas Instruments
VSONP-8

3000+:¥1.9154

1000+:¥1.9882

500+:¥2.1357

100+:¥2.3306

22090

25+
3-5工作日
CSD18534Q5A
Texas Instruments
VSONP-8

1000+:¥2.0019

100+:¥2.089

10+:¥2.5022

10000

-
5-10工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.8 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 22 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1770 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),77W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:China
晶圆地(城市)(CSO) TI:Chengdu, CN
封装地(国家/地区)(ACO) External:China
封装地(城市)(ASO) External:1