CSD18531Q5A
TI(德州仪器)
VSONP-8(5x6)
¥3.224
9,971
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A(Ta),100A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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CSD18531Q5A
TI(德州仪器)
VSONP-8(5x6)

2500+:¥3.224

1+:¥3.3592

1892

25+
1-2工作日发货
CSD18531Q5A
德州仪器(TI)
VSONP-8(5x6)

25000+:¥3.41

5000+:¥3.6813

2500+:¥3.875

800+:¥5.425

200+:¥7.75

10+:¥12.6131

1929

-
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TI(德州仪器)
8-PowerTDFN

1250+:¥3.553

100+:¥3.905

20+:¥4.686

1929

-
3天-15天
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TI(德州仪器)
VSONP-8

500+:¥4.69

100+:¥4.98

20+:¥5.38

1+:¥6.29

4125

22+/24+
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TI
[(DQJ), 8]

1+:¥9.7452

91

2142
现货最快4H发
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Texas Instruments

1000+:¥3.8

500+:¥4.1

100+:¥4.65

50+:¥5.41

10+:¥6.32

1+:¥7.21

796

2431+
1工作日
CSD18531Q5A
TEXAS INSTRUMENTS

1000+:¥4.1214

500+:¥4.3131

100+:¥4.5234

10+:¥4.6952

1+:¥4.9456

60

2431+
1工作日
CSD18531Q5A
Texas Instruments

1000+:¥4.2522

200+:¥4.4285

10+:¥4.6104

10000

-
3-7工作日
CSD18531Q5A
Texas Instruments

1000+:¥4.292

500+:¥4.292

100+:¥4.366

10+:¥4.68

1576

-
3-5工作日
CSD18531Q5A
Texas Instruments

3000+:¥5.5552

2000+:¥5.704

1000+:¥5.8528

8818

-
10-12工作日
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TI(德州仪器)

31+:¥13.1123

29+:¥13.2263

28+:¥13.4544

27+:¥14.2525

86

-
6-8工作日
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TI(德州仪器)
VSONP8_4.9X5.75MM

100+:¥3.3

30+:¥3.48

10+:¥3.54

1+:¥3.84

0

-
立即发货
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TI(德州仪器)
8-PowerTDFN

2500+:¥3.3

1+:¥3.44

0

-
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TI(德州仪器)
VSONP-8(5x6)

5000+:¥3.48345

1000+:¥3.5326

500+:¥3.58176

100+:¥3.62436

1+:¥3.67024

5

23+
现货
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Texas Instruments

2000+:¥3.6047

500+:¥3.6702

100+:¥3.7686

50+:¥3.8669

1+:¥3.9324

5

23+
3-4工作日
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TI(德州仪器)
VSONP-8(5x6)

2500+:¥3.751

31+:¥4.6189

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 19A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.6 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 43 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3840 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),156W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:China
晶圆地(城市)(CSO) TI:Chengdu, CN
封装地(国家/地区)(ACO) External:China
封装地(城市)(ASO) External:1