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CSD17577Q3A
TI(德州仪器)
VSONP-8(3.3x3.3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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TI(德州仪器)
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8-VSONP（3x3.15）
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2500+:￥1.14 1+:￥1.21 |
2287 |
25+
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圣禾堂
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TI(德州仪器)
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VSONP-8(3.3x3.3)
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1000+:￥1.1446 500+:￥1.2125 100+:￥1.3386 30+:￥1.75 10+:￥1.97 1+:￥2.5 |
3202 |
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立创商城
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TI(德州仪器)
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VSONP-8(3.3x3.3)
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2500+:￥1.1856 1+:￥1.2584 |
2159 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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德州仪器(TI)
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VSONP-8(3.3x3.3)
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25000+:￥1.254 5000+:￥1.3538 2500+:￥1.425 800+:￥1.995 200+:￥2.85 10+:￥4.6384 |
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油柑网
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TI(德州仪器)
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8-PowerVDFN
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1250+:￥1.331 100+:￥1.529 30+:￥1.991 |
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3天-15天
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唯样商城
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Texas Instruments
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1000+:￥1.0919 500+:￥1.1612 100+:￥1.2718 10+:￥1.5048 1+:￥2.0192 |
2028 |
2512+
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1工作日
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云汉芯城
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TEXAS INSTRUMENTS
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2500+:￥1.2652 300+:￥1.3664 100+:￥1.3917 30+:￥1.6827 10+:￥1.8472 1+:￥2.1509 |
2429 |
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1-3工作日
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TI(德州仪器)
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2500+:￥1.2768 1250+:￥1.3552 100+:￥1.5568 1+:￥2.0272 |
2337 |
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2-5工作日
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云汉芯城
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Texas Instruments
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1000+:￥1.3046 500+:￥1.3907 10+:￥1.493 |
17160 |
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3-6工作日
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Texas Instruments
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3000+:￥2.0608 2000+:￥2.116 1000+:￥2.1712 |
158254 |
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10-12工作日
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TI(德州仪器)
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VSONP8
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1000+:￥3.9357 500+:￥4.1068 100+:￥4.4491 30+:￥4.7913 1+:￥4.9624 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.8 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 35 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2310 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），53W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China;Japan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN;Aizuwakamatsu, JP |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |