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CSD17307Q5A
TI(德州仪器)
SON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta），73A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3V，8V
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封装
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价格(含税)
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TI
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[(DQJ), 8]
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500+:￥1.8337 100+:￥1.8919 1+:￥1.9501 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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TI(德州仪器)
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VSONP8_4.9X5.75MM
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10+:￥3.515 1+:￥3.6075 |
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华秋商城
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TI(德州仪器)
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SON-8(5x6)
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30+:￥3.8 10+:￥4.32 1+:￥5.35 |
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立创商城
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德州仪器(TI)
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DFN-8(4.9x5.8)
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25000+:￥3.8665 5000+:￥4.1741 2500+:￥4.3938 800+:￥6.1513 200+:￥8.7876 10+:￥14.3014 |
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油柑网
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TI(德州仪器)
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500+:￥2.5149 100+:￥2.6385 |
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6-8工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Ta），73A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 3V，8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.5 毫欧 @ 11A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 5.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | +10V，-8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 700 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | External:Taiwan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | External:1 |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |