CRSS042N10N
CRMICRO(华润微)
TO-263
¥1.42
281,830
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):172A,导通电阻(RDS(on)):4.2mΩ@10V,50A
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CRSS042N10N
CRMICRO(华润微)
D2PAK(TO-263)

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CRSS042N10N
CRMICRO(华润微)
T0-263

1000+:¥1.4768

1+:¥1.6016

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CRMICRO(华润微)
TO-263

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3天-15天
CRSS042N10N
华润微(CRMICRO)
TO-263

10000+:¥1.562

2000+:¥1.6863

1000+:¥1.775

500+:¥2.485

100+:¥3.55

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61233

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CR MICRO(华润微)
TO-263(D²Pak)

500+:¥1.872

100+:¥1.9584

10+:¥2.1312

1+:¥2.2032

767

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CRSS042N10N
CRMICRO(华润微)
T0-263

3000+:¥1.94183

1000+:¥1.97789

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100+:¥2.0482

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TO-263

1000+:¥1.95

500+:¥2.0

100+:¥2.3

30+:¥2.6

10+:¥2.98

1+:¥3.5

32615

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CRMICRO(华润微)
T0-263

500+:¥2.06

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20+:¥2.96

1+:¥3.38

3079

22+/23+
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CRMICRO(华润微)
T0-263

1000+:¥1.4768

50+:¥1.6016

1+:¥2.08

116398

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1-3工作日
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CRMICRO(华润微)
TO-263

1000+:¥1.624

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2-5工作日
CRSS042N10N
CR Micro/无锡华润微电子
TO-263

5000+:¥1.7906

3000+:¥1.8373

1000+:¥1.8684

60000

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5-7工作日
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CR Micro/无锡华润微电子
TO-263

3000+:¥1.84

2000+:¥1.888

1000+:¥1.92

10000

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3-5工作日
CRSS042N10N
CR Micro/无锡华润微电子
TO-263

3000+:¥1.9

2000+:¥1.94

1000+:¥2.0

10000

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3-5工作日
CRSS042N10N
CR Micro/无锡华润微电子
TO-263

500+:¥1.9902

100+:¥2.2884

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1+:¥3.5558

819

2427+
1工作日
CRSS042N10N
CR Micro/无锡华润微电子
TO-263

100+:¥2.1

30+:¥2.15

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225

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TO-263

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 172A
导通电阻(RDS(on)) 4.2mΩ@10V,50A