ISOCOM(英国安数光)
8-SMD,鸥翼
¥3.0478
98
技术:光学耦合,通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):25kV/µs,传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):500ns,500ns
TOSHIBA(东芝)
SOIC-6
¥1.8824
5455
输入类型:DC,正向压降(Vf):1.55V,输出电流:25mA,隔离电压(Vrms):3.75kV
ISOCOM(英国安数光)
16-DIP(0.400",10.16mm)
¥3.09
190
通道数:4,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
LITEON(光宝)
SOP-8
¥2.5064
21354
VISHAY(威世)
8-DIP(0.300",7.62mm)
¥3.2288
0
通道数:2,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):1000% @ 1mA,上升/下降时间(典型值):70µs,70µs,输入类型:AC,DC
SHARP(夏普)
4-SMD,鸥翼
¥2.1571
19
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):600% @ 500µA,上升/下降时间(典型值):60µs,53µs,输入类型:DC
VISHAY(威世)
4-DIP(0.300",7.62mm)
¥2.93
95
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):250% @ 1mA,电流传输比(最大值):500% @ 1mA,接通 / 关断时间(典型值):6µs,5.5µs
LITEON(光宝)
SOP-4
¥2.57
2946
输入类型:DC,输出类型:FET,正向压降(Vf):1.18V,输出电流:120mA
VISHAY(威世)
4-DIP(0.300",7.62mm)
¥3.21
2131
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 1mA,电流传输比(最大值):200% @ 1mA,接通 / 关断时间(典型值):6µs,5.5µs
onsemi(安森美)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥3.17
19
通道数:1,电压 - 隔离:4170Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,输入类型:AC,DC,输出类型:有基极的晶体管
VISHAY(威世)
8-DIP(0.300",7.62mm)
¥3.2413
0
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):500% @ 1.6mA,接通 / 关断时间(典型值):600ns,1.5µs,输入类型:DC
ISOCOM(英国安数光)
16-DIP(0.300",7.62mm)
¥3.26
25
通道数:4,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):80% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):4µs,3µs
ISOCOM(英国安数光)
8-DIP(0.300",7.62mm)
¥3.296
246
通道数:2,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):200% @ 1mA,上升/下降时间(典型值):60µs,53µs,输入类型:DC
ISOCOM(英国安数光)
16-DIP(0.300",7.62mm)
¥3.363
363
通道数:4,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
onsemi(安森美)
4-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
¥3.69
8
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):200% @ 5mA,电流传输比(最大值):400% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
onsemi(安森美)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥1.58467
0
通道数:1,电压 - 隔离:2500Vrms,电流传输比(最小值):500% @ 1mA,接通 / 关断时间(典型值):10µs,125µs,上升/下降时间(典型值):8µs,110µs
VISHAY(威世)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥3.55
0
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):500% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):5µs,100µs(最大),输入类型:DC
RENESAS(瑞萨)
4-SMD,鸥翼
¥3.6589
0
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):200% @ 1mA,上升/下降时间(典型值):100µs,100µs,输入类型:DC
TOSHIBA(东芝)
DIP-8
¥3.79
0
输出类型:达林顿晶体管,正向压降(Vf):1.15V,输出电流:150mA,隔离电压(Vrms):5kV
VISHAY(威世)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥2.83
2342
通道数:2,电压 - 隔离:4000Vrms,电流传输比(最小值):500% @ 1mA,接通 / 关断时间(典型值):15µs,30µs(最小),输入类型:DC
TOSHIBA(东芝)
SOP-4
¥3.92
88
输入类型:DC,输出类型:光电三极管,正向压降(Vf):1.25V,输出电流:50mA
onsemi(安森美)
6-SMD,鸥翼
¥1.74517
0
通道数:1,电压 - 隔离:4170Vrms,电流传输比(最小值):500% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):5µs,100µs(最大),输入类型:DC
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥4.35
100
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,2.3µs
onsemi(安森美)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥3.781
2469
通道数:1,电压 - 隔离:2500Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,输入类型:DC
onsemi(安森美)
4-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
¥4.719
30
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):80% @ 1mA,电流传输比(最大值):160% @ 1mA,接通 / 关断时间(典型值):6µs,6µs
TOSHIBA(东芝)
16-SOIC(0.179",4.55mm 宽)
¥4.1202
80
通道数:4,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 500µA,电流传输比(最大值):600% @ 500µA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
TOSHIBA(东芝)
DIP-16
¥4.153
2560
AVAGO(安华高)/Broadcom(博通)
8-DIP(0.300",7.62mm)
¥4.223
5
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):500% @ 1.6mA,电流传输比(最大值):2600% @ 1.6mA,接通 / 关断时间(典型值):200ns,2µs
TOSHIBA(东芝)
SOP-16-4.4mm
¥4.3586
1431
输入类型:DC,输出类型:光电三极管,正向压降(Vf):1.25V,输出电流:50mA
RENESAS(瑞萨)
4-SMD,鸥翼
¥4.3848
12
通道数:1,电压 - 隔离:2500Vrms,电流传输比(最小值):1500% @ 1mA,上升/下降时间(典型值):100µs,100µs,输入类型:DC
onsemi(安森美)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥1.31931
0
通道数:1,电压 - 隔离:2500Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):7.5µs,5.7µs,上升/下降时间(典型值):3.2µs,4.7µs
ISOCOM(英国安数光)
16-DIP(0.400",10.16mm)
¥4.4884
12
通道数:4,电压 - 隔离:5300Vrms,上升/下降时间(典型值):4µs,3µs,输入类型:DC,输出类型:晶体管
VISHAY(威世)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥4.6133
0
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 1mA,电流传输比(最大值):200% @ 1mA,接通 / 关断时间(典型值):8µs,7.5µs
VISHAY(威世)
4-DIP(0.300",7.62mm)
¥8.01184
0
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):1000% @ 1mA,接通 / 关断时间(典型值):4.5µs,29µs,上升/下降时间(典型值):3.5µs,14.5µs
ISOCOM(英国安数光)
16-DIP(0.300",7.62mm)
¥4.68
0
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):500% @ 10mA,上升/下降时间(典型值):2µs,2µs
ISOCOM(英国安数光)
16-DIP(0.300",7.62mm)
¥4.788
55
通道数:4,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):4µs,3µs
onsemi(安森美)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥2.53697
0
通道数:1,电压 - 隔离:4170Vrms,电流传输比(最小值):70% @ 3mA,接通 / 关断时间(典型值):10µs,400ns,输入类型:DC
TOSHIBA(东芝)
6-SOIC(0.173",4.40mm 宽),5 引线
¥4.93
0
通道数:1,输入 - 侧 1/侧 2:1/0,电压 - 隔离:3750Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):10kV/µs,输入类型:DC
VISHAY(威世)
4-DIP(0.200",5.08mm)
¥12.544
12
通道数:1,电压 - 隔离:8200Vrms,电流传输比(最小值):63% @ 10mA,电流传输比(最大值):125% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):5µs,3µs
RENESAS(瑞萨)
4-SMD,鸥翼
¥5.055
35
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):1500% @ 1mA,电流传输比(最大值):6500% @ 1mA,上升/下降时间(典型值):100µs,100µs
onsemi(安森美)
6-SMD,鸥翼
¥3.19
2
通道数:1,电压 - 隔离:4170Vrms,电流传输比(最小值):20% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):5µs,5µs,输入类型:DC
AVAGO(安华高)/Broadcom(博通)
16-DIP(0.300",7.62mm)
¥4.60459
28
通道数:4,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):4µs,3µs
VISHAY(威世)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥3.84
0
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 10mA,电流传输比(最大值):80% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,2.3µs
AVAGO(安华高)/Broadcom(博通)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥5.6
4
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,上升/下降时间(典型值):5µs,5µs
onsemi(安森美)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥5.59621
4
通道数:1,输入 - 侧 1/侧 2:1/0,电压 - 隔离:3750Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):20kV/µs,输入类型:逻辑
ISOCOM(英国安数光)
16-DIP(0.300",7.62mm)
¥5.9192
0
通道数:4,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):200% @ 1mA,上升/下降时间(典型值):60µs,53µs,输入类型:DC
AVAGO(安华高)/Broadcom(博通)
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
¥6.25
5
通道数:2,电压 - 隔离:3000Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
TOSHIBA(东芝)
DSOP-8-EP-5.0mm
¥6.16
4777
输入类型:DC,输出类型:FET,输出电流:150A,负载电压:40V
onsemi(安森美)
4-SMD,鸥翼
¥6.2035
18
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):1000% @ 1mA,电流传输比(最大值):15000% @ 1mA,上升/下降时间(典型值):100µs,20µs
AVAGO(安华高)/Broadcom(博通)
8-SMD,鸥翼
¥5.8
53
通道数:2,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):130% @ 5mA,电流传输比(最大值):260% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):4µs,3µs