TOSHIBA(东芝)
SOIC-6
¥1.55
20703
输入类型:DC,正向压降(Vf):1.55V,输出电流:25mA,隔离电压(Vrms):3.75kV
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥1.37
905
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 1mA,电流传输比(最大值):200% @ 1mA,接通 / 关断时间(典型值):6µs,5.5µs
onsemi(安森美)
6-SMD,鸥翼
¥1.5444
304
通道数:1,电压 - 隔离:4170Vrms,电流传输比(最小值):160% @ 10mA,电流传输比(最大值):320% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):2µs,3µs
ISOCOM(英国安数光)
4-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
¥1.55989
0
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):300% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
EVERLIGHT(亿光)
6-SMD,鸥翼
¥1.4841
820
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):40% @ 10mA,电流传输比(最大值):80% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):10µs,9µs
TOSHIBA(东芝)
6-SOIC(0.173",4.40mm 宽),4 引线
¥1.49
4992
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):200% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
onsemi(安森美)
6-SMD,鸥翼
¥1.2276
666
通道数:1,电压 - 隔离:4170Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):300% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):15µs,15µs(最大)
AVAGO(安华高)/Broadcom(博通)
4-SMD,鸥翼
¥1.68
24
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):80% @ 5mA,电流传输比(最大值):160% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):4µs,3µs
onsemi(安森美)
4-SMD,鸥翼
¥1.51
4
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 5mA,电流传输比(最大值):150% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):3µs,3µs
ISOCOM(英国安数光)
8-DIP(0.300",7.62mm)
¥1.68
0
通道数:1,输入 - 侧 1/侧 2:1/0,电压 - 隔离:5000Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):20kV/µs,输入类型:DC
onsemi(安森美)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥1.4
40334
通道数:1,电压 - 隔离:4170Vrms,电流传输比(最小值):500% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):8.5µs,95µs,输入类型:DC
RENESAS(瑞萨)
4-SMD,鸥翼
¥1.826
0
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):200% @ 1mA,上升/下降时间(典型值):200µs,200µs,输入类型:DC
ISOCOM(英国安数光)
4-SMD,鸥翼
¥1.7
273
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):4.2µs,23µs
VISHAY(威世)
6-DIP(0.400",10.16mm)
¥1.36
1664
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):11µs,7µs
TOSHIBA(东芝)
6-SOIC(0.173",4.40mm 宽),4 引线
¥1.83
50
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
onsemi(安森美)
4-SMD,鸥翼
¥1.25083
0
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 5mA,电流传输比(最大值):300% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):3µs,3µs
VISHAY(威世)
4-DIP(0.300",7.62mm)
¥2.29
385
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):160% @ 10mA,电流传输比(最大值):320% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,2.3µs
VISHAY(威世)
4-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
¥1.2
4856
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 5mA,电流传输比(最大值):200% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):6µs,4µs
ISOCOM(英国安数光)
4-DIP(0.300",7.62mm)
¥2.56
89
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):200% @ 1mA,上升/下降时间(典型值):60µs,53µs,输入类型:DC
TOSHIBA(东芝)
16-SOIC(0.179",4.55mm 宽)
¥2.527
5576
通道数:4,电压 - 隔离:2500Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 5mA,电流传输比(最大值):400% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
onsemi(安森美)
6-SMD,鸥翼
¥1.8711
1228
通道数:1,电压 - 隔离:4170Vrms,电流传输比(最小值):160% @ 10mA,电流传输比(最大值):320% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):2µs,3µs
VISHAY(威世)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥1.8975
1790
通道数:1,电压 - 隔离:4000Vrms,电流传输比(最小值):200% @ 1mA,输入类型:DC,输出类型:有基极的达林顿晶体管
ISOCOM(英国安数光)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥1.90399
58
通道数:2,电压 - 隔离:3750Vrms,上升/下降时间(典型值):1.6µs,2.2µs,输入类型:DC,输出类型:晶体管
cosmo(冠西)
DIP-16
¥2.8589
71
输入类型:DC,输出类型:光电三极管,正向压降(Vf):1.2V,输出电流:50mA
onsemi(安森美)
4-SMD,鸥翼
¥1.95
506
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):80% @ 5mA,电流传输比(最大值):160% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):5.7µs,8.5µs
VISHAY(威世)
4-DIP(0.300",7.62mm)
¥1.97
0
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):20% @ 5mA,电流传输比(最大值):300% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):6µs,5µs
onsemi(安森美)
4-SMD,鸥翼
¥2.16
68
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 1mA,电流传输比(最大值):1200% @ 1mA,上升/下降时间(典型值):3µs,3µs
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥2.33
25
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,2.3µs
VISHAY(威世)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥0.54309
105
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):10µs,10µs,输入类型:DC
onsemi(安森美)
8-SMD,鸥翼
¥1.94847
0
通道数:2,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
AVAGO(安华高)/Broadcom(博通)
4-SMD,鸥翼
¥2.0382
74
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):130% @ 5mA,电流传输比(最大值):260% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):4µs,3µs
VISHAY(威世)
4-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
¥3
105
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):130% @ 5mA,电流传输比(最大值):260% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):6µs,4µs
ISOCOM(英国安数光)
8-DIP(0.300",7.62mm)
¥2.163
402
通道数:2,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):4µs,3µs
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥1.92
40
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):63% @ 1mA,电流传输比(最大值):125% @ 1mA,接通 / 关断时间(典型值):6µs,5.5µs
VISHAY(威世)
4-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
¥2.25
14
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):160% @ 5mA,电流传输比(最大值):320% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):6µs,4µs
Slkor(萨科微)
SOP-5-175mil
¥2.26
0
输入电压类型:DC,输出类型:达林顿晶体管,正向压降(Vf):1.45V,输出电流:50mA
AVAGO(安华高)/Broadcom(博通)
4-SMD,鸥翼
¥4.33
50
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):4µs,3µs
ISOCOM(英国安数光)
16-SMD,鸥翼
¥2.2
8482
通道数:4,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 1mA,电流传输比(最大值):600% @ 1mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
onsemi(安森美)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥2.5704
22
通道数:1,电压 - 隔离:2500Vrms,电流传输比(最小值):500% @ 1mA,接通 / 关断时间(典型值):10µs,125µs,上升/下降时间(典型值):8µs,110µs
AVAGO(安华高)/Broadcom(博通)
6-SMD,鸥翼
¥2.74
50
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,上升/下降时间(典型值):5µs,5µs
onsemi(安森美)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥2.01
12
通道数:1,电压 - 隔离:7500Vpk,电流传输比(最小值):20% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):2µs,2µs,上升/下降时间(典型值):2µs,1.5µs
AVAGO(安华高)/Broadcom(博通)
6-SMD,鸥翼
¥2.68
7
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,上升/下降时间(典型值):5µs,5µs
VISHAY(威世)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥2.7467
10
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):20% @ 20mA,接通 / 关断时间(典型值):10µs,10µs,输入类型:DC
RENESAS(瑞萨)
4-SMD,鸥翼
¥3.0377
1517
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 5mA,电流传输比(最大值):400% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):3µs,5µs
AVAGO(安华高)/Broadcom(博通)
4-SMD,鸥翼
¥3.84
41
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):300% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):4µs,3µs
VISHAY(威世)
4-DIP(0.400",10.16mm)
¥2.68
65
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,2.3µs
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥2.9
7
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,2.3µs
onsemi(安森美)
8-SMD,鸥翼
¥4.69
33
通道数:2,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):2.4µs,2.4µs,输入类型:DC
ISOCOM(英国安数光)
16-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
¥2.94
2100
通道数:4,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):20% @ 1mA,电流传输比(最大值):400% @ 1mA,上升/下降时间(典型值):3µs,4µs
VISHAY(威世)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥3.01
36
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):10% @ 10mA,上升/下降时间(典型值):2µs,2µs,输入类型:DC