咨询/建议
类型：MHz 晶体，频率：22.1184 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：13pF
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：12pF
频率：156.25MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：9pF，ESR（等效串联电阻）：80 kOhms
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：33.333MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：90MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：66.666MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：60MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：54MHz，工作电压：1.6V~3.6V，工作电流：3mA，频率稳定度：±100ppm
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：48MHz，工作电压：3.3V，工作电流：20mA，频率稳定度：±50ppm
频率：11.0592MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V
频率：66.666MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：24.576MHz，工作电压：3.3V，工作电流：2.5mA，工作温度：-40℃~+85℃
频率：125MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：4.9152MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
类型：MHz 晶体，频率：26 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：24.5MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：10MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
类型：MHz 晶体，频率：24.576 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：18.432 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：24.576MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：125MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃