咨询/建议
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±20ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：10pF
频率：16MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：12.288MHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±30ppm
类型：陶瓷，频率：7.37 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
频率：26.67MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
类型：MHz 晶体，频率：8 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：8MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
频率：27MHz，常温频差：±30ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：45.1584MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：14.31818MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：38.88MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：13.56MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：19.6608MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：45MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：1.96608MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：12.288MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：4.9152MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：10MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
类型：陶瓷，频率：16 MHz，频率稳定性：±0.3%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
频率：37.125MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：3.6864MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：20MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：4MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：54MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：36MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：32 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：12pF
频率：4.096MHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：5mA，频率稳定度：±30ppm
频率：37MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：50MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V