I-CORE(中微爱芯)
DIP-18
¥0.9
495
ST(意法半导体)
SO-16
¥1.2885
2220
晶体管类型:7 NPN 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 500µA,350mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
HTCSEMI(海天芯)
DIP-18
¥1.32
20
通道数:八路
ST(意法半导体)
DIP-16
¥1.1955
3591
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:NPN
ST(意法半导体)
DIP-16
¥2.26
105
晶体管类型:7 NPN 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 500µA,350mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
TOSHIBA(东芝)
SOP-16
¥3.9538
75
通道数:七路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):300mA,最大输入电压(VI):25V
TOSHIBA(东芝)
SOP-18
¥3.85
1012
ST(意法半导体)
DIP-16
¥25.2675
35
晶体管类型:4 NPN 达林顿(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.4V @ 2mA,1.25A,功率 - 最大值:1W
ST(意法半导体)
PDIP-16
¥37.44
0
晶体管类型:4 NPN 达林顿(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A,电压 - 集射极击穿(最大值):80V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 2.25mA,1.5A,功率 - 最大值:1W
XINLUDA(信路达)
TSSOP-16
¥0.3234
1150
Corebai(芯佰微)
SOP-16
¥0.55
2655
UTC(友顺)
SOP-16
¥0.6832
3829
通道数:七路
HGSEMI(华冠)
DIP-14
¥0.466
1000
通道数:五路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA,最大输入电压(VI):30V
I-CORE(中微爱芯)
DIP-16
¥0.675
670
XINLUDA(信路达)
DIP-16
¥0.734175
455
HTC
SOP-16
¥0.58034
134
I-CORE(中微爱芯)
SOP-18-300mil
¥0.7623
50000
TM(天微)
SOP-18
¥0.7749
770
XINLUDA(信路达)
DIP-16
¥0.8601
247
XINLUDA(信路达)
SOIC-16
¥0.9142
2170
HGSEMI(华冠)
SOP-16
¥1.0485
2355
通道数:七路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA,最大输入电压(VI):30V
TI(德州仪器)
TSSOP-16
¥1.36
7608
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:达林顿晶体管
XINLUDA(信路达)
SOP-18-300mil
¥1.57
1795
XINLUDA(信路达)
DIP-16
¥1.3823
270
XINLUDA(信路达)
DIP-18
¥1.41
178
XINLUDA(信路达)
SOIC-16
¥1.582
210
XINLUDA(信路达)
DIP-18
¥1.85
547
XINLUDA(信路达)
DIP-18
¥1.935
128
ST(意法半导体)
DIP-16
¥2.4012
48
晶体管类型:7 NPN 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.7V @ 500µA,350mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
TI(德州仪器)
SOIC-16
¥1.59113
6494
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:N 通道
TI(德州仪器)
DIP-16
¥2.73
0
晶体管类型:7 NPN 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA,电压 - 集射极击穿(最大值):100V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 500µA,350mA,工作温度:150°C(TJ)
XINLUDA(信路达)
DIP-18
¥3.11
186
TI(德州仪器)
TSSOP-16
¥3.12
0
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:达林顿晶体管
TOSHIBA(东芝)
SSOP-16
¥3.62
1040
开关类型:通用,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:N 通道
TI(德州仪器)
SO-16-208mil
¥3.7
50
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:NPN
TOSHIBA(东芝)
SOP-16
¥8.51
2
停产
TI(德州仪器)
SOIC-18-300mil
¥4.3327
0
晶体管类型:8 NPN 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 500µA,350mA,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
TOSHIBA(东芝)
SOIC-16-175mil
¥4.78555
9
开关类型:通用,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:N 通道
TOSHIBA(东芝)
SSOP-18
¥6.54
195
通道数:八路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):50mA,最大输入电压(VI):30V
ST(意法半导体)
DIP-16
¥14.24
3
晶体管类型:4 NPN 达林顿(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.4V @ 2mA,1.25A,功率 - 最大值:1W
ST(意法半导体)
PowerDIP-16
¥16.26
0
晶体管类型:4 NPN 达林顿(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A,电压 - 集射极击穿(最大值):80V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 2.25mA,1.5A,功率 - 最大值:1W
ST(意法半导体)
PowerDIP-16
¥26.19
113
晶体管类型:4 NPN 达林顿(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A,电压 - 集射极击穿(最大值):80V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 2.25mA,1.5A,功率 - 最大值:1W
TOSHIBA(东芝)
DIP-16
¥19.368
5
I-CORE(中微爱芯)
SOP-18
¥0.9
0
TOSHIBA(东芝)
SOP-16
¥5.3881
100
开关类型:通用,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:N 通道
TOSHIBA(东芝)
24-SOP(0.236",6.00mm 宽)
¥2.6
0
开关类型:通用,输出数:4,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:N 通道
TOSHIBA(东芝)
SOIC-16
¥1.8542
0
通道数:七路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA
ST(意法半导体)
PowerDIP-16
¥12.43
0
晶体管类型:4 NPN 达林顿(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A,电压 - 集射极击穿(最大值):80V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 2.25mA,1.5A,功率 - 最大值:1W
UMW(友台半导体)
¥0.4
0
停产
ROHM(罗姆)
SOP-16
¥0.615
0
类型:驱动器,驱动器/接收器数:7/0,工作温度:-25°C ~ 75°C,安装类型:表面贴装型,封装/外壳:16-SOIC(0.173",4.40mm 宽)