XINLUDA(信路达)
SOP-16
¥0.5471
2405
I-CORE(中微爱芯)
SOIC-16
¥0.5445
50035
通道数:七路,集射击穿电压(Vceo):50V,最大输入电压(VI):30V,工作温度:-40℃~+85℃
HGSEMI(华冠)
DIP-8
¥0.4439
1810
通道数:三路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA,最大输入电压(VI):30V
HGSEMI(华冠)
DIP-16
¥0.6058
1625
通道数:七路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA,最大输入电压(VI):30V
DIODES(美台)
SOIC-16
¥0.887
25351
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:达林顿晶体管
HTCSEMI(海天芯)
SOP-18-300mil
¥1.09
907
通道数:八路
LRC(乐山无线电)
SOP-16
¥0.4888
5031
通道数:七路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):350mA,最大输入电压(VI):30V
I-CORE(中微爱芯)
SOP-16
¥0.5808
50130
TI(德州仪器)
SOIC-16
¥1.31452
785
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:达林顿晶体管
TOSHIBA(东芝)
18-DIP(0.300",7.62mm)
¥1.635
4145
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),安装类型:通孔,封装/外壳:18-DIP(0.300",7.62mm)
Mixic(中科芯亿达)
SOP-8
¥0.561
2180
通道数:双路,集射击穿电压(Vceo):30V,集电极电流(Ic):200mA
TI(德州仪器)
TSSOP-16
¥1.6
5823
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:达林顿晶体管
HGC(深圳汉芯)
SOP-16
¥0.4739
7180
DIODES(美台)
SO-16
¥0.756
19442
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:NPN
XINLUDA(信路达)
DIP-16
¥1.2055
200
onsemi(安森美)
SOIC-16
¥1.16
3926
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:达林顿晶体管
TOSHIBA(东芝)
HSOP-16-EP-6.4mm
¥3.89
2148
开关类型:通用,输出数:4,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:N 通道
Slkor(萨科微)
SOP-16
¥0.47187
6265
通道数:七路,集射击穿电压(Vceo):50V,最大输入电压(VI):30V,工作温度:-40℃~+85℃
Slkor(萨科微)
SOP-8
¥0.5009
735
集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):250mA,最大输入电压(VI):30V
HTCSEMI(海天芯)
DIP-18
¥1.20249
6055
通道数:八路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA
TOSHIBA(东芝)
SOP-18
¥5.42
210
通道数:八路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA,最大输入电压(VI):30V
TOSHIBA(东芝)
SOIC-18-300mil
¥3.25
3414
开关类型:通用,输出数:8,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:高端,输出类型:P 通道
ST(意法半导体)
PowerDIP-16
¥25.3
1281
晶体管类型:4 NPN 达林顿(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.4V @ 2mA,1.25A,功率 - 最大值:1W
SILAN(士兰微)
SOP-16
¥0.5305
595
HGSEMI(华冠)
DIP-16
¥0.5424
1937
通道数:七路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA,最大输入电压(VI):30V
KEC(开益禧)
FLP-16
¥0.8569
1330
工作温度:-40℃~+85℃
DIODES(美台)
TSSOP-16
¥0.81
32250
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:达林顿晶体管
TI(德州仪器)
DIP-16
¥1.88
3253
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:NPN
ST(意法半导体)
DIP-18
¥7.46
2520
晶体管类型:8 NPN 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 500µA,350mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
HGC(深圳汉芯)
SOP-16
¥0.240405
170
通道数:七路
TECH PUBLIC(台舟)
SOP-18
¥0.6897
1715
通道数:七路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA,最大输入电压(VI):30V
BORN(伯恩半导体)
SOP-18
¥0.5847
0
通道数:八路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA,最大输入电压(VI):30V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOP-16
¥0.3138
4280
通道数:七路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA,最大输入电压(VI):30V
UTC(友顺)
DIP-16
¥1.2892
77
TOSHIBA(东芝)
SOP-18-300mil
¥2.34
10582
通道数:八路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA,最大输入电压(VI):30V
ST(意法半导体)
DIP-18
¥11.32
69
晶体管类型:8 NPN 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 500µA,350mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
不适用于新设计
ALLEGRO(美国埃戈罗)
SOIC-20-300mil
¥10.6
1054
开关类型:通用,输出数:8,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:高端,输出类型:双极性
ST(意法半导体)
PowerDIP-16
¥32.43
28
晶体管类型:4 NPN 达林顿(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.4V @ 2mA,1.25A,功率 - 最大值:1W
HTCSEMI(海天芯)
SOP-16
¥0.38741
2510
集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA
ST(意法半导体)
TSSOP-16
¥0.640947
0
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:达林顿晶体管
HTCSEMI(海天芯)
SOP-16
¥0.672096
1245
集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA
I-CORE(中微爱芯)
SOP-18
¥0.932
150
通道数:八路
ST(意法半导体)
DIP-16
¥1.0712
4441
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:NPN
TOSHIBA(东芝)
SSOP-16-4.4mm
¥4.88
1736
开关类型:通用,输出数:7,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:N 通道
ST(意法半导体)
DIP-18
¥7.377
7
晶体管类型:8 NPN 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 500µA,350mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
XINLUDA(信路达)
SOP-16
¥0.5775
1015
HGSEMI(华冠)
SOP-16
¥0.4893
2420
通道数:七路,集射击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):500mA,最大输入电压(VI):30V
Mixic(中科芯亿达)
SOP-16
¥0.69
220
通道数:六路,集电极电流(Ic):500mA
XINLUDA(信路达)
DIP-16
¥0.734175
700
XINLUDA(信路达)
DIP-16
¥0.7604
70