咨询/建议
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：2A，集射极击穿电压(Vceo)：20V，耗散功率(Pd)：1.35W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：370mV @ 300mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：150V，耗散功率(Pd)：25W
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：2A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：1.75W
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：300V，耗散功率(Pd)：1.56W
晶体管类型：2 NPN（双）配对，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：2A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 6mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：150 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：355mV @ 500mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：10A，集射极击穿电压(Vceo)：140V，耗散功率(Pd)：100W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：350 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA（ICBO）
集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，特征频率(fT)：300MHz，集电极截止电流(Icbo)：50nA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：225mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：250mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：150mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：150mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：300V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：150V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：150V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：800mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：225mW
晶体管类型：NPN+PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：350V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：20V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：32V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：32 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：550mV @ 1.25mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）