FZT558TA
DIODES(美台)
SOT-223
¥1.76
756
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):400 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 6mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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FZT558TA
DIODES(美台)
SOT223

1000+:¥1.48

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Diodes(达尔)
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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 400 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 6mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 50mA,10V
功率 - 最大值 2 W
频率 - 跃迁 50MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA