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停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：125 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：900mV @ 10A，100A，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：27 @ 100A，5V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 20mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：15 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：850mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：160 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：450mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.2V @ 600mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：300µA
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：8V，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO），不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 50mA，5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 125mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：300µA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 600mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：700µA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 600mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：700µA
停产
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
停产
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：15V，频率 - 跃迁：5.5GHz，功率 - 最大值：1W，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：25 @ 70mA，10V
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）
停产
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：25 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 80mA，800mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
最后售卖
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
停产
晶体管类型：NPN，PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5.7A，4.8A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：450mV @ 300mA, 6A / 510mV @ 250mA, 5A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：2 NPN（双）配对，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：150 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：100mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：15 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
停产
晶体管类型：NPN，PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：7.5A，6.3A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：275mV @ 375mA, 7.5A / 350mV @ 325mA, 6.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
停产
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6.7A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 350mA，7A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：245mV @ 50mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
停产
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2.7A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：340mV @ 270mA，2.7A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不适用于新设计
晶体管类型：NPN，PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
停产
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：465 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 250mA，1A，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：13 @ 500mA，2V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
停产
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
停产
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：420mV @ 400mA，4A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：140 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
停产
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：40V，频率 - 跃迁：400MHz，功率 - 最大值：300mW，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 8mA，10V
停产
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 50mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）