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APT13003EZTR-G1
DIODES(美台)
TO-92-3
¥0.321
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三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):465 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 250mA,1A,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):13 @ 500mA,2V
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APT13003EZTR-G1
DIODES(美台)
TO92

2000+:¥0.321

1+:¥0.355

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1.5 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 465 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 400mV @ 250mA,1A
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 13 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 1.1 W
频率 - 跃迁 4MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线