咨询/建议
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：1.25W
不适用于新设计
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：32 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：160 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：12V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，1V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：4A，集射极击穿电压(Vceo)：32V，耗散功率(Pd)：1.25W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW
集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：250V，功率(Pd)：360mW，直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：40@30mA,10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：5A，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：2W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：12V，耗散功率(Pd)：1.2W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：1.5W
不适用于新设计
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：620mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：800mW
停产
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2V @ 12mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 25mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
最后售卖
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：800 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：125 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：900mV @ 30mA，300mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：5.8V，频率 - 跃迁：22GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz，增益：12.5dB ~ 26.5dB
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2V @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：50mA，集射极击穿电压(Vceo)：250V，耗散功率(Pd)：1.1W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 15mA，150mA，电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：25 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO），不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 7mA，10V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：800 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：320mV @ 20mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：900mW，直流电流增益(hFE)：560@100mA,2V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
不适用于新设计
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电阻器 - 基极 (R1)：47 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：68 @ 5mA，5V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 50mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：12V，频率 - 跃迁：8GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz，增益：17.5dB
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：700 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 15mA，300mA，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：300nA（ICBO）