ZXTN5551FLTA
DIODES(美台)
SOT-23-3
¥0.398
3,315
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):160 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
ZXTN5551FLTA
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.398

1+:¥0.426

830

23+
立即发货
ZXTN5551FLTA
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.41392

1+:¥0.44304

825

23+
1-2工作日发货
ZXTN5551FLTA
美台(DIODES)
SOT-23-3

30000+:¥0.4378

6000+:¥0.4726

3000+:¥0.4975

800+:¥0.6965

100+:¥0.995

20+:¥1.6194

830

-
ZXTN5551FLTA
Diodes(达尔)
SOT-23-3

200+:¥0.6084

70+:¥0.7469

830

-
3天-15天
ZXTN5551FLTA
Diodes(美台)
3.04 mm*1.4 mm*1.02 mm

3000+:¥0.41392

1500+:¥0.44304

200+:¥0.48672

1+:¥0.70616

830

--
1-3工作日

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 160 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V
功率 - 最大值 330 mW
频率 - 跃迁 130MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3