咨询/建议
二极管类型：PIN - 单，电压 - 峰值反向（最大值）：30V，电流 - 最大值：100 mA，不同 Vr、F 时电容：0.375pF @ 20V，1MHz，不同 If、F 时电阻：350 毫欧 @ 100mA，100MHz
射频类型：GSM，ISM，PCS，WCDMA，拓扑：吸收，电路：SPDT，频率范围：100MHz ~ 6GHz，隔离：42dB
射频类型：手机，拓扑：吸收，电路：SPDT，频率范围：100MHz ~ 6GHz，隔离：60dB
射频类型：通用，电路：SP10T，频率范围：700MHz ~ 2.69GHz，隔离：19dB，插损：0.95dB
射频类型：ATE，拓扑：吸收，电路：SPDT，频率范围：9kHz ~ 13GHz，隔离：18dB
电路：SPDT，频率范围：5MHz ~ 6GHz，隔离：20dB，插损：0.75dB，测试频率：6GHz
射频类型：通用，拓扑：反射，电路：SP4T，频率范围：23GHz ~ 30GHz，隔离：26dB
拓扑：吸收，电路：SPDT，频率范围：0Hz ~ 8GHz，隔离：33dB，插损：2.4dB
射频类型：手机，频率范围：200MHz ~ 3GHz，隔离：40dB，插损：7.5dB，测试频率：3GHz
射频类型：LTE，电路：SP4T，频率范围：2.7GHz，隔离：43dB，插损：0.6dB
射频类型：通用，拓扑：吸收，电路：SPDT，频率范围：0Hz ~ 2.5GHz，隔离：35dB
隔离度：48dB，插入损耗：1.45dB，工作电压：1.1V~3.6V，工作温度：-30℃~+85℃
射频类型：通用，拓扑：反射，电路：SP4T，频率范围：400MHz ~ 7.125GHz，电压 - 供电：45V
射频类型：802.11a/b/g/n/ac，ISM，WLAN，电路：SPDT，频率范围：900MHz ~ 6GHz，隔离：38dB，插损：0.5dB
射频类型：通用，电路：SPDT，频率范围：0Hz ~ 6GHz，隔离：56dB，插损：1dB
二极管类型：PIN - 单，电压 - 峰值反向（最大值）：80V，电流 - 最大值：100 mA，不同 Vr、F 时电容：0.35pF @ 1V，1MHz，不同 If、F 时电阻：800 毫欧 @ 10mA，100MHz
射频类型：802.11b/g/n/ac，电路：SPDT，频率范围：2.4GHz ~ 2.5GHz，电压 - 供电：3.3V
电路：SP4T，频率范围：400MHz ~ 7.125GHz，安装类型：表面贴装型，封装/外壳：10-XFQFN
射频类型：VSAT，拓扑：吸收，电路：SP4T，频率范围：0Hz ~ 8GHz，隔离：35dB
二极管类型：PIN - 1 对串联，电压 - 峰值反向（最大值）：100V，电流 - 最大值：140 mA，不同 Vr、F 时电容：0.5pF @ 50V，1MHz，不同 If、F 时电阻：12 欧姆 @ 10mA，100MHz
拓扑：反射，电路：SPDT，频率范围：700MHz ~ 3.5GHz，隔离：50dB，插损：0.6dB
射频类型：通用，拓扑：吸收，电路：SPST，频率范围：500MHz ~ 3GHz，隔离：30dB
射频类型：通用，拓扑：反射，电路：SPDT，频率范围：300KHz ~ 2.5GHz，隔离：13dB
隔离度：48dB，工作电压：1.65V~3.4V，工作温度：-40℃~+85℃
射频类型：WLAN，电路：SPDT，频率范围：100MHz ~ 6GHz，隔离：38dB，插损：0.4dB
射频类型：VSAT，拓扑：吸收，电路：SPDT，频率范围：100MHz ~ 30GHz，隔离：65dB
停产
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25 V，漏源电压（Vdss）：25 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：10 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 1 µA
频率：100MHz~3GHz，隔离度：20dB，插入损耗：0.75dB，工作电压：2.4V~3.3V
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40 V，漏源电压（Vdss）：40 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 20 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 nA
射频类型：802.11b，g，蓝牙，WLAN，拓扑：反射，电路：SP3T，频率范围：200MHz ~ 3GHz，隔离：27dB
射频类型：手机，拓扑：反射，电路：SPDT，频率范围：30MHz ~ 6GHz，隔离：26dB