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PMBFJ110,215
NXP(恩智浦)
SOT-23
¥0.418
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射频开关
FET 类型:N 通道,电压 - 击穿 (V(BR)GSS):25 V,漏源电压(Vdss):25 V,不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):10 mA @ 15 V,不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):4 V @ 1 µA
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PMBFJ110,215
NXP(恩智浦)
SOT-23(TO-236AB)

3000+:¥0.418

1+:¥0.447

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PMBFJ110,215
NXP(恩智浦)
SOT-23

1000+:¥2.61

500+:¥2.66

200+:¥2.76

1+:¥7.12

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 25 V
漏源电压(Vdss) 25 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) 10 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) 4 V @ 1 µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 30pF @ 10V(VGS)
电阻 - RDS(On) 18 Ohms
功率 - 最大值 250 mW
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3