咨询/建议
类型：热敏式，有源像素阵列：32H x 24V，电压 - 供电：2.9V ~ 3.6V，封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐，工作温度：-40°C ~ 85°C
类型：热敏式，有源像素阵列：32H x 24V，电压 - 供电：2.9V ~ 3.6V，封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐，工作温度：-40°C ~ 85°C
类型：CCD，像素大小：8µm x 200µm，电压 - 供电：3V ~ 5.5V，封装/外壳：22-CDIP（0.400"，10.16mm），工作温度：-25°C ~ 60°C
传感器类型：CCD图像传感器，像素大小：5.25umx64um，工作温度：-25℃~+60℃
类型：CMOS，像素大小：2.2µm x 2.2µm，有源像素阵列：2592H x 1944V，每秒帧数：53.0，电压 - 供电：1.7V ~ 1.9V，2.6V ~ 3.1V
类型：CMOS，像素大小：3µm x 3µm，有源像素阵列：1920H x 1080V，每秒帧数：60.0，电压 - 供电：1.8V，2.8V
类型：CMOS，像素大小：3.75µm x 3.75µm，有源像素阵列：1280H x 960V，每秒帧数：45，电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V
类型：CMOS，像素大小：3.75µm x 3.75µm，有源像素阵列：1280H x 960V，电压 - 供电：1.8V ~ 2.8V，封装/外壳：63-LBGA
类型：CMOS，像素大小：3µm x 3µm，有源像素阵列：1280H x 800V，每秒帧数：60.0，封装/外壳：69-WFBGA，CSPBGA
类型：CCD，像素大小：14µm x 14µm，电压 - 供电：11.4V ~ 13V，封装/外壳：22-CDIP（0.400"，10.16mm），工作温度：-25°C ~ 60°C
类型：带处理器的 CMOS，像素大小：2.2µm x 2.2µm，有源像素阵列：2592H x 1944V，每秒帧数：60.0，电压 - 供电：1.7V ~ 1.9V
类型：带处理器的 CMOS，像素大小：3.75µm x 3.75µm，有源像素阵列：1280H x 960V，每秒帧数：45，电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V
类型：CMOS，像素大小：3µm x 3µm，有源像素阵列：1280H x 800V，每秒帧数：60，封装/外壳：63-LBGA
类型：带处理器的 CMOS，像素大小：2.2µm x 2.2µm，有源像素阵列：2048H x 1536V，每秒帧数：30.0，电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V
类型：CMOS，像素大小：3.75µm x 3.75µm，有源像素阵列：1280H x 960V，电压 - 供电：1.8V ~ 2.8V，封装/外壳：63-LBGA
类型：解码器/多路分解器，电路：1 x 3：8，独立电路：1，电流 - 输出高、低：24mA，24mA，供电电压源：单电源
类型：CMOS，像素大小：5.6µm x 5.6µm，有源像素阵列：728H x 560V，每秒帧数：60，电压 - 供电：1.8V ~ 2.8V
类型：CMOS，像素大小：3µm x 3µm，有源像素阵列：1920H x 1080V，每秒帧数：60，电压 - 供电：1.8V，2.8V
类型：CMOS，像素大小：3.75µm x 3.75µm，有源像素阵列：1280H x 960V，电压 - 供电：1.8V ~ 2.8V，封装/外壳：63-LBGA
类型：CMOS，像素大小：3µm x 3µm，有源像素阵列：1280H x 800V，每秒帧数：60，封装/外壳：63-LFBGA
类型：带处理器的 CMOS，像素大小：3.75µm x 3.75µm，有源像素阵列：1280H x 960V，每秒帧数：45.0，电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V
类型：CMOS，像素大小：3.75µm x 3.75µm，有源像素阵列：1280H x 960V，电压 - 供电：1.8V ~ 2.8V，封装/外壳：63-LBGA
类型：带处理器的 CMOS，像素大小：3.75µm x 3.75µm，有源像素阵列：1280H x 960V，每秒帧数：54，电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V
类型：CMOS，像素大小：3.75µm x 3.75µm，有源像素阵列：1280H x 960V，每秒帧数：45.0，封装/外壳：63-LBGA
停产
类型：带处理器的 CMOS，像素大小：1.67µm x 1.67µm，有源像素阵列：3856H x 2764V，每秒帧数：30.0，电压 - 供电：1.7V ~ 1.9V
类型：CMOS，像素大小：3µm x 3µm，有源像素阵列：2048H x 1280V，每秒帧数：60，封装/外壳：80-LBGA
类型：带处理器的 CMOS，像素大小：1.67µm x 1.67µm，有源像素阵列：3856H x 2764V，每秒帧数：30.0，电压 - 供电：1.7V ~ 1.9V
类型：CMOS，像素大小：3µm x 3µm，有源像素阵列：1280H x 800V，每秒帧数：60，封装/外壳：69-WFBGA，CSPBGA
类型：CMOS，像素大小：4.8µm x 4.8µm，封装/外壳：48-LCC，工作温度：-40°C ~ 85°C
类型：CMOS，像素大小：3µm x 3µm，有源像素阵列：1280H x 800V，每秒帧数：60.0，封装/外壳：69-WFBGA，CSPBGA
类型：3D 飞行时间，像素大小：30µm x 30µm，有源像素阵列：80H x 60V，每秒帧数：1000.0，电压 - 供电：1.7V ~ 3.6V
类型：带处理器的 CMOS，像素大小：6µm x 6µm，有源像素阵列：752H x 480V，每秒帧数：60.0，电压 - 供电：3V ~ 3.6V
类型：3D 飞行时间，有源像素阵列：320H x 240V，每秒帧数：150.0，电压 - 供电：1.5V ~ 3.3V，封装/外壳：78-BGA 模块
类型：CMOS，像素大小：3µm x 3µm，有源像素阵列：1920H x 1200V，每秒帧数：120，封装/外壳：83-VFBGA，CSPBGA
类型：CMOS，像素大小：3.75µm x 3.75µm，有源像素阵列：1280H x 960V，每秒帧数：45.0，电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V，2.5V ~ 3.1V
类型：CMOS，像素大小：2.2µm x 2.2µm，有源像素阵列：2592H x 1944V，每秒帧数：60.0，封装/外壳：52-LCC