micron(镁光)
FBGA-96
¥9.38
14723
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR3L,存储容量:4Gb,存储器组织:256M x 16
micron(镁光)
TFBGA-96
¥9.23
7882
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR3L,存储容量:4Gb,存储器组织:256M x 16
micron(镁光)
FBGA-96(8x14)
¥7.742
4883
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR3L,存储容量:2Gb,存储器组织:128M x 16
SAMSUNG(三星)
FBGA-96(7.5x13.3)
¥9.4
16620
存储器构架(格式):SDRAM DDR3L,时钟频率(fc):933MHz,存储容量:4Gbit,工作电压:1.28V~1.45V
Nanya(南亚科技)
TFBGA-96
¥9.35
2696
存储器构架(格式):SDRAM DDR3L,时钟频率(fc):933MHz,存储容量:4Gbit,工作温度:0℃~+95℃
SK hynix(海力士)
FBGA-96
¥7.0816
3603
存储器构架(格式):SDRAM DDR3,时钟频率(fc):1.066GHz,存储容量:4Gbit,工作电压:1.425V~1.575V
micron(镁光)
TFBGA-96
¥9.75
4156
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR3L,存储容量:2Gb,存储器组织:128M x 16
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥42.6476
2067
存储器构架(格式):SDRAM DDR4,时钟频率(fc):1.333GHz,存储容量:8Gbit,工作电压:1.14V~1.26V
Nanya(南亚科技)
TFBGA-96
¥15.5015
4112
存储器构架(格式):SDRAM DDR3L,时钟频率(fc):933MHz,存储容量:4Gbit,工作电压:1.5V;1.35V
SAMSUNG(三星)
200-TFBGA
¥44.7
1160
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,存储容量:16Gb,存储器组织:512M x 32,存储器接口:并联
micron(镁光)
TSOP-54-10.2mm
¥18.6
4672
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM,存储容量:256Mb,存储器组织:16M x 16
micron(镁光)
FBGA-96
¥13.2
3294
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR3,存储容量:2Gb,存储器组织:128M x 16
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥32
635
存储器构架(格式):SDRAM DDR4,时钟频率(fc):1.333GHz,工作电压:1.14V~1.26V,工作电流:41.9mA
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥7.30182
5994
存储器构架(格式):SDRAM DDR3,时钟频率(fc):1.066GHz,工作电压:1.425V~1.575V,工作温度:0℃~+95℃
micron(镁光)
FBGA-96
¥59.5
1298
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR3L,存储容量:8Gb,存储器组织:512M x 16
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥7.2
1548
存储器构架(格式):SDRAM DDR3L,时钟频率(fc):933MHz,存储容量:2Gbit,工作电压:1.283V~1.45V
micron(镁光)
FBGA-96
¥48
2037
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR4,存储容量:8Gb,存储器组织:512M x 16
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥21.1
2717
存储器构架(格式):SDRAM DDR4,时钟频率(fc):1.6GHz,存储容量:4Gbit,工作电压:1.14V~1.26V
Nanya(南亚科技)
VFBGA-96
¥11.5
345
存储器构架(格式):SDRAM DDR3L,时钟频率(fc):933MHz,存储容量:4Gbit,工作温度:0℃~+95℃
Nanya(南亚科技)
TFBGA-96
¥10.8
2015
Nanya(南亚科技)
TFBGA-96
¥11.05
215
存储器构架(格式):SDRAM DDR3,时钟频率(fc):1.066GHz,存储容量:4Gbit,工作电压:1.425V~1.575V
SAMSUNG(三星)
FBGA-200
¥153.71
225
SAMSUNG(三星)
FBGA-200
¥87.1
500
存储器构架(格式):SDRAM LPDDR4X,时钟频率(fc):2.133GHz,存储容量:32Gbit,工作电压:1.7V~1.95V
SAMSUNG(三星)
FBGA-200
¥84.3
60
ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)
BGA-96(9x13)
¥14.4495
299
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR3L,存储容量:2Gb,存储器组织:128M x 16
Zetta(澜智)
VFBGA-200
¥50.77
0
存储器构架(格式):SDRAM LPDDR4X,存储容量:16Gbit,工作电压:1.7V~1.95V,刷新电流:530uA
WINBOND(华邦)
VFBGA-84
¥4.8
4417
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR2,存储容量:512Mb,存储器组织:32M x 16
Nanya(南亚科技)
TFBGA-96
¥9.96
156
存储器构架(格式):SDRAM DDR3,时钟频率(fc):1.066GHz,存储容量:2Gbit,工作电压:1.425V~1.575V;1.283V~1.45V
micron(镁光)
FBGA-78
¥13.02
225
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR3L,存储容量:2Gb,存储器组织:256M x 8
Nanya(南亚科技)
VFBGA-96
¥9.359
1959
MK(米客方德)
FBGA-96
¥9.21
0
存储器构架(格式):SDRAM DDR3L,时钟频率(fc):1.866GHz,工作电压:1.35V,工作电流:46mA
micron(镁光)
FBGA-96(7.5x13.5)
¥47.97
141
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR4,存储容量:8Gb,存储器组织:512M x 16
micron(镁光)
FBGA-96
¥29.8
1623
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR3L,存储容量:4Gb,存储器组织:256M x 16
停产
micron(镁光)
WFBGA-200
¥45.9
3222
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - Mobile LPDDR4,存储容量:16Gb,存储器组织:512M x 32
micron(镁光)
FBGA-96
¥75.8
2000
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR4,存储容量:8Gb,存储器组织:512M x 16
micron(镁光)
FBGA-96
¥59.8235
10
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR3L,存储容量:8Gb,存储器组织:512M x 16
micron(镁光)
FBGA-96
¥77.55
25
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR4,存储容量:8Gb,存储器组织:512M x 16
micron(镁光)
FBGA-96
¥11.9
2120
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR3,存储容量:2Gb,存储器组织:128M x 16
Nanya(南亚科技)
VFBGA-96
¥12.53
20
存储器构架(格式):SDRAM DDR3L,时钟频率(fc):800MHz,存储容量:2Gbit,工作电压:1.35V
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥18.53
53
存储器构架(格式):SDRAM DDR3L,时钟频率(fc):933MHz,存储容量:4Gbit,工作电压:1.28V~1.575V
micron(镁光)
FBGA-84(8x12.5)
¥16.62
313
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR2,存储容量:1Gb,存储器组织:64M x 16
WINBOND(华邦)
VFBGA-84
¥5.47033
138
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR2,存储容量:1Gb,存储器组织:64M x 16
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥58.2
345
存储器构架(格式):SDRAM DDR4,时钟频率(fc):1.333GHz,存储容量:8Gbit,工作电压:1.14V~1.26V
停产
micron(镁光)
VFBGA-200(10x14.5)
¥124.3
6
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - Mobile LPDDR4,存储容量:32Gb,存储器组织:1G x 32
micron(镁光)
84-TFBGA
¥14.4
4625
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR2,存储容量:1Gb,存储器组织:64M x 16
micron(镁光)
TFBGA-200
¥102.01
14
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - Mobile LPDDR4,存储容量:16Gb,存储器组织:512M x 32
micron(镁光)
FBGA-78
¥47.2
147
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR4,存储容量:8Gb,存储器组织:1G x 8
SK hynix(海力士)
FBGA-96
¥40.5
1088
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥43.2
1281
存储器构架(格式):SDRAM DDR4,时钟频率(fc):1.6GHz,存储容量:16Gbit,工作电压:1.2V
Nanya(南亚科技)
VFBGA-96
¥8.918
158
存储器构架(格式):SDRAM DDR3,时钟频率(fc):933MHz,存储容量:1Gbit,工作温度:0℃~+95℃