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电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，安装类型：通孔
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，功率 - 最大值：75 mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，功率 - 最大值：75 mW
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，集电极电流(Ic)：3mA，耗散功率(Pd)：10mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，安装类型：通孔
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，功率 - 最大值：75 mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：50 nA，波长：940nm，功率 - 最大值：75 mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，功率 - 最大值：75 mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，安装类型：通孔
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，功率 - 最大值：75 mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，功率 - 最大值：75 mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，功率 - 最大值：75 mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，功率 - 最大值：75 mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，功率 - 最大值：75 mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，安装类型：表面贴装型
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：5.5V，集电极电流(Ic)：20mA，暗电流：3nA
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，集电极电流(Ic)：20mA，耗散功率(Pd)：75mW
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，集电极电流(Ic)：20mA，耗散功率(Pd)：75mW
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，集电极电流(Ic)：50mA，耗散功率(Pd)：100mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：50 nA，波长：840nm，功率 - 最大值：75 mW
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，集电极电流(Ic)：20mA，耗散功率(Pd)：75mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，安装类型：通孔
电压 - 集射极击穿（最大值）：35 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：200 nA，波长：900nm，视角：24°
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，集电极电流(Ic)：20mA，耗散功率(Pd)：75mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，安装类型：表面贴装型
电压 - 集射极击穿（最大值）：70 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：200 nA，波长：925nm，视角：60°
电压 - 集射极击穿（最大值）：70 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：200 nA，波长：880nm，视角：30°
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，功率 - 最大值：75 mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，功率 - 最大值：75 mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，视角：35°
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，集电极电流(Ic)：2mA，耗散功率(Pd)：10mW
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，暗电流：30nA，峰值波长：880nm
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，集电极电流(Ic)：20mA，耗散功率(Pd)：75mW
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：100mW，暗电流：100nA
电压 - 集射极击穿（最大值）：70 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：200 nA，波长：950nm，视角：30°
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，暗电流：30nA，峰值波长：880nm
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，集电极电流(Ic)：20mA，耗散功率(Pd)：75mW
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，集电极电流(Ic)：50mA，耗散功率(Pd)：75mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，安装类型：通孔
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，集电极电流(Ic)：1.2mA，耗散功率(Pd)：10mW
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，集电极电流(Ic)：20mA，耗散功率(Pd)：75mW
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：940nm，视角：22°
不适用于新设计
电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：500 nA，波长：600nm，视角：120°
电压 - 集射极击穿（最大值）：6 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：50 nA，波长：570nm，视角：40°
电压 - 集射极击穿（最大值）：6 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.1 mA，电流 - 暗 (Id)（最大值）：100 nA，波长：630nm，安装类型：表面贴装型
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，集电极电流(Ic)：40mA，耗散功率(Pd)：75mW
晶体管类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：100mW，暗电流：100nA