最后售卖
onsemi(安森美)
DIP-8
¥8.71
849
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,电压 - 启动:12 V
ST(意法半导体)
DIP-7
¥6.77
37
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:14 V
ROHM(罗姆)
DIP-7
¥7.0152
104
输出配置:正,拓扑:反激,输出数:1,电压 - 输入(最小值):8.9V,电压 - 输入(最大值):26V
TI(德州仪器)
HTSSOP-16
¥15.22
20
开关类型:通用,输出数:1,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:高端,电压 - 负载:6V ~ 18V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥2.7944
3
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激转换器,输出数:1
onsemi(安森美)
SOIC-16
¥7.26
78
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:半桥,电压 - 启动:10.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 20V
ST(意法半导体)
SOIC-16
¥7.09
11
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:14 V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8
¥7.0952
105
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:55%
TI(德州仪器)
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
¥7.12
0
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:20 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8V ~ 30V
ST(意法半导体)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥8.27
189
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:730V,拓扑:反激,电压 - 启动:14.5 V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥7.844
39
输出隔离:非隔离,内部开关:无,拓扑:无电感器,控制特性:EN,工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
ST(意法半导体)
DIP-7
¥3.4947
1
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:降压,降压升压,反激,电压 - 启动:13 V
Infineon(英飞凌)
SOIC-20-300mil
¥7.255
0
输出类型:晶体管驱动器,功能:降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:降压,输出数:2
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
8-DIP(0.300",7.62mm),7 引线
¥7.35
0
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:54%
停产
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥7.38
0
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:12.8 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):7.6V ~ 16V
onsemi(安森美)
PDIP-7
¥7.47769
0
输出隔离:隔离,内部开关:无,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:2.1 V
RENESAS(瑞萨)
-
¥7.41
1245
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥12.43
50
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激转换器,输出数:1
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SMD-7P
¥7.8824
15028
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:66.5%
TI(德州仪器)
SOIC-7
¥4.3188
190
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:14.75 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8V ~ 20V
最后售卖
onsemi(安森美)
SOP-16-208mil
¥7.536
0
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:半桥,电压 - 启动:14.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):11.3V ~ 25V
停产
onsemi(安森美)
SOT-223-4
¥6.65
50
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,电压 - 启动:8.5 V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥7.6096
7
输出隔离:隔离,内部开关:是,拓扑:升压,降压,反激,正激,电压 - 启动:14.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 20V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
InSOP-24D
¥7.35
58
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:900V,拓扑:反激,次级侧 SR,频率 - 开关:100kHz
TI(德州仪器)
SOIC-16
¥7.89
74
模式:间歇(跃迁),频率 - 开关:500kHz,电流 - 启动:200 µA,电压 - 供电:8V ~ 21V,工作温度:-40°C ~ 125°C
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥8.0715
0
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,降压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:降压,升压,反激,输出数:1
ST(意法半导体)
SO-16
¥9.3
30
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:14 V
onsemi(安森美)
SOIC-16
¥5.97167
0
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:半桥,电压 - 启动:10.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥3.328
29769
RENESAS(瑞萨)
SOIC-8
¥7.30415
0
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:反激,升压,输出数:1
最后售卖
onsemi(安森美)
SOP-16-5.4mm
¥8.81
0
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:半桥,电压 - 启动:12.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):10V ~ 25V
ROHM(罗姆)
SOP-8
¥8.87
0
输出配置:正,拓扑:反激,输出数:1,电压 - 输入(最小值):10.2V,电压 - 输入(最大值):26V
onsemi(安森美)
SOIC-20-NB
¥8.91
75
模式:连续导电(CCM),频率 - 开关:95kHz,电压 - 供电:30V,安装类型:表面贴装型,封装/外壳:20-LSOP(0.154",3.90mm 宽),18 引线
TI(德州仪器)
SOIC-14
¥8.9519
7
应用:谐振转换器控制器,电压 - 输入:600V,电压 - 供电:13V ~ 26V,电流 - 供电:2.2 mA,工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
TI(德州仪器)
TSSOP-8
¥9.04
16
类型:源极选择器开关,FET 类型:N 通道,比率 - 输入:输出:2:1,内部开关:是,延迟时间 - 开启:500 µs
停产
onsemi(安森美)
PDIP-7
¥6.33
17
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.5V ~ 10V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
InSOP-24D-9.4mm
¥6.168
38
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,次级侧 SR,电压 - 启动:5 V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥8.8
150
输出隔离:任意一种,内部开关:无,拓扑:升压,降压,反激,正激,电压 - 启动:12.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.3V ~ 12V
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
DIP-8
¥9.212
60
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:16 V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
BESOP-11-EP-8.9mm
¥9.2512
55
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:64%
TI(德州仪器)
WQFN-24(4x4)
¥5.0504
191
输出隔离:隔离,内部开关:是,拓扑:反激,升压,电压 - 启动:17 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):14V ~ 34V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 宽),15 引线
¥6.76
20
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,次级侧 SR,占空比:60%
最后售卖
onsemi(安森美)
DIP-8
¥9.04
954
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,电压 - 启动:12 V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
InSOP-24D
¥9.555
23
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,次级侧 SR,频率 - 开关:100kHz
NXP(恩智浦)
SOIC-8
¥9.57
58
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:14.9 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9.9V ~ 30V
MPS(Monolithic Power Systems)
SOT-23-5 细型,TSOT-23-5
¥9.62
108
输出隔离:非隔离,内部开关:无,电压 - 击穿:700V,拓扑:升压,降压,降压升压,反激,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):5.3V ~ 5.6V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8
¥9.1434
53
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,次级侧 SR,占空比:65%
ST(意法半导体)
SO-8
¥19.6267
0
模式:连续导电(CCM),频率 - 开关:130kHz,电流 - 启动:400 µA,电压 - 供电:10V ~ 24.5V,工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SMD-7P
¥7.099
2
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:78%
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TO-220-7C
¥9.9
4837
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:66.8%