不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
SC-74A,SOT-753
¥4.80071
15
应用:次级侧控制器,同步整流器,电压 - 供电:4.75V ~ 18V,电流 - 供电:5 mA,工作温度:-40°C ~ 125°C,安装类型:表面贴装型
不适用于新设计
onsemi(安森美)
SOIC-7
¥4.64
18
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:12 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.8V ~ 35V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SOIC-7
¥4.998
74
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:63%
TI(德州仪器)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥4.98
55
应用:PWM 控制器,电压 - 输入:-0.3V ~ 6.3V,电压 - 供电:12V ~ 28V,电流 - 供电:11 mA,工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥1.72
0
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激,输出数:1
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
ESOP-12
¥6.47
104
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:67%
TI(德州仪器)
SOIC-14
¥5.0718
336
应用:PWM 控制器,电压 - 输入:-0.3V ~ 6.3V,电压 - 供电:12V ~ 28V,电流 - 供电:11 mA,工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
TI(德州仪器)
DIP-8
¥5.13
82
应用:PWM 控制器,电压 - 输入:-0.3V ~ 6.3V,电压 - 供电:12V ~ 28V,电流 - 供电:11 mA,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
ST(意法半导体)
MiniDIP-8
¥5.13
50
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:反激,升压,输出数:1
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥5.85792
0
应用:PWM 控制器,电压 - 输入:-0.3V ~ 6.3V,电压 - 供电:7.6V ~ 30V,电流 - 供电:11 mA,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
TI(德州仪器)
SOT-23-5
¥7.41
25
应用:转接器,电压 - 输入:4V ~ 28V,电流 - 供电:4 A,工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ),安装类型:表面贴装型
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥5.35
30
应用:次级侧控制器,电流 - 供电:200µA,电压 - 供电:3V ~ 32V,工作温度:-40°C ~ 105°C,安装类型:表面贴装型
onsemi(安森美)
SOIC-7
¥5.909
116
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:12.7 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9.9V ~ 20V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SOIC-7
¥5.4292
235
输出隔离:非隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:降压,降压升压,反激,占空比:69%
NXP(恩智浦)
SOIC-8
¥5.44
0
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:14.9 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9.9V ~ 30V
ST(意法半导体)
SOIC-16
¥7.3118
8421
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:1050V,拓扑:降压,升压,降压升压,反激,电压 - 启动:13 V
停产
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥5.53
16
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:12.8 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):7.6V ~ 16V
ST(意法半导体)
SO-16
¥4.74342
0
输出隔离:非隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:升压,降压,降压升压,反激,电压 - 启动:8 V
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥5.87
4151
最后售卖
onsemi(安森美)
DIP-8
¥5.63
105
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,电压 - 启动:12 V
ST(意法半导体)
SOP-10
¥5.6475
29
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:降压,反激,电压 - 启动:13 V
停产
onsemi(安森美)
PDIP-8
¥4.8832
22
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):16V(最大),占空比:80%
RENESAS(瑞萨)
-
¥5.49
3632
是否隔离:非隔离,特性:过流保护(OCP)
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-12
¥5.733
88
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:64%
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥5.7728
58
应用:PWM 控制器,电压 - 输入:-0.3V ~ 6.3V,电压 - 供电:10V ~ 30V,电流 - 供电:11 mA,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
onsemi(安森美)
SOIC-16
¥5.817
75
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:670V,拓扑:升压,降压,反激,正激,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.4V ~ 9.5V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥5.9682
1879
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激转换器,输出数:1
onsemi(安森美)
PDIP-8
¥5.9004
14
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,电压 - 启动:8.4 V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SO-16B
¥5.934
5
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,降压,升压,频率 - 开关:132.7kHz
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
InSOP-24D
¥5.9486
45
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,次级侧 SR,频率 - 开关:100kHz
停产
onsemi(安森美)
SOT-223-4
¥6.02
7549
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.5V ~ 10V
ST(意法半导体)
SOIC-16
¥5.65
42
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:13 V
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥6
2892
是否隔离:隔离,工作电压:10.5V~25V,拓扑结构:反激式,特性:过热保护(OPT);短路保护(SCP);欠压保护(UVP);过压保护(OVP);过流保护(OCP)
ST(意法半导体)
SO-16
¥6.1182
2058
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:14 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8V ~ 23V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8
¥6.1
48
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:65%
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),7 引线
¥3.96
50
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:63%
onsemi(安森美)
SOP-10
¥4.56
55
输出隔离:隔离,内部开关:无,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,电压 - 启动:17 V
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥6.2411
29
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:反激,升压,输出数:1
RENESAS(瑞萨)
SOIC-10
¥6.2524
22
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:14.5 V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
8-DIP(0.300",7.62mm),7 引线
¥6.2818
100
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,次级侧 SR,占空比:65%
TI(德州仪器)
SOIC-7
¥6.35
309
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:21 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 35V
MPS(Monolithic Power Systems)
SOIC-8
¥6.33
84
模式:临界传导(BCM),电流 - 启动:15 µA,电压 - 供电:13.8V ~ 21V,工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ),安装类型:表面贴装型
ST(意法半导体)
SDIP-10
¥5.3956
91
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:14 V
onsemi(安森美)
DIP-7
¥5.57598
0
输出隔离:非隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:降压,反激,电压 - 启动:8 V
ST(意法半导体)
SSOP-10
¥6.39
5
输出隔离:非隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:降压,降压升压,反激,电压 - 启动:16 V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-12
¥6.34
58
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,占空比:64%
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
8-DIP(0.300",7.62mm),7 引线
¥6.1176
11988
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:65%
ADI(亚德诺)
TSOT-23-6
¥6.483
0
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:反激,输出数:1
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SMD-7P
¥6.5072
93
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:60%
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SOIC-7
¥5.94
0
输出隔离:非隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:降压,降压升压,反激,占空比:69%