MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.167485
2980
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.1397
6600
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-523-3
¥0.1872
13418
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-213AA
¥0.172
1805
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@0.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:500mA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.1739
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1uA@600V
Comchip(典琦)
DO-41
¥0.177968
3910
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.221
1990
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SMB
¥0.1871
2350
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.188
0
正向压降(Vf):1.15V@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):10uA@200V
LRC(乐山无线电)
SMB
¥0.1914
660
正向压降(Vf):1.3V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.1943
6550
LGE(鲁光)
DO-213AB
¥0.1935
2025
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.1872
33653
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SMB
¥0.1966
17567
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-15
¥0.1971
110
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SMAF
¥0.1971
0
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
Comchip(典琦)
SMA
¥0.199141
2660
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
YFW(佑风微)
SMC
¥0.16576
1990
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA
DOWO(东沃)
SMC
¥0.2378
1850
正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.13818
5050
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.2064
13072
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):225mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.207
4
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):225mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
KUU(永裕泰)
SMC
¥0.228
62790
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA
AnBon(安邦)
SOD-123
¥0.2091
790
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.2068
0
SHIKUES(时科)
SMC
¥0.1788
280
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.215
5337
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 1.5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIOTEC(德欧泰克)
SMA(DO-214AC)
¥0.21585
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@400V
DIOTEC(德欧泰克)
DO-41
¥0.243
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):2kV,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A
晶导微电子
TO-252-2
¥0.22
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.285264
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.2244
10
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):1uA
onsemi(安森美)
SOT-23-3L
¥0.196637
1005
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.2264
3200
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMC(DO-214AB)
¥0.36099
5745
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.2283
30
正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
Slkor(萨科微)
SMC
¥0.09855
20
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A
SMC(桑德斯)
SMB(DO-214AA)
¥0.2308
2130
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
Comchip(典琦)
DO-214AC(SMA)
¥0.231
0
LGE(鲁光)
DB-1
¥0.23265
105
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.30324
1245
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.241
290
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 2 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252-2
¥0.2441
1770
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A
VISHAY(威世)
DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80
¥0.246025
1910
二极管类型:PIN - 单,电压 - 峰值反向(最大值):30V,电流 - 最大值:50 mA,不同 Vr、F 时电容:0.5pF @ 0V,100MHz,不同 If、F 时电阻:50 欧姆 @ 1.5mA,100MHz
PANJIT(强茂)
SMB
¥0.3274
5
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
SUNMATE(森美特)
R-6
¥0.266
1185
正向压降(Vf):900mV@6A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@400V
LGE(鲁光)
DB-1
¥0.2585
130
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
LGE(鲁光)
DB-1
¥0.2585
185
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
MCC(美微科)
DO-214AB(SMC)
¥0.267372
1227
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252
¥0.2648
1530
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A