onsemi(安森美)
SOT-723-3
¥0.110385
7605
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.201
1801
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 1.5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
DO-214AC,SMA
¥0.2011
45107
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 1.5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SC-75-3
¥0.182784
1520
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.208
28207
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.2157
10
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SC-90,SOD-323FL
¥0.5669
2765
二极管类型:PIN - 单,电压 - 峰值反向(最大值):35V,电流 - 最大值:100 mA,不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 6V,1MHz,不同 If、F 时电阻:900 毫欧 @ 2mA,100MHz
DIOTEC(德欧泰克)
DO-41
¥0.195
33807
直流反向耐压(Vr):1.8kV,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A,工作结温范围:-50℃~+175℃
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.217
18392
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 1.5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOD-80
¥0.22113
1660
二极管类型:PIN - 单,电压 - 峰值反向(最大值):30V,电流 - 最大值:50 mA,不同 Vr、F 时电容:0.5pF @ 0V,100MHz,不同 If、F 时电阻:50 欧姆 @ 1.5mA,100MHz
onsemi(安森美)
SOT-23-3
¥0.2869
237
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA
DIODES(美台)
DO-41
¥0.217
42431
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-214AC
¥0.2326
1050
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1uA@600V
LGE(鲁光)
DB-1
¥0.23265
25
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.21
6346
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.3215
1250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.304285
1250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.1872
15833
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
停产
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-123FL
¥0.2449
120
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
DO-15
¥0.2537
270
正向压降(Vf):1.1V@2.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.17766
405
正向压降(Vf):1.15V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
VISHAY(威世)
SMB(DO-214AA)
¥0.283
57135
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 1.5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.2578
141
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SMC(DO-214AB)
¥0.26
7695
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
LGE(鲁光)
SMC
¥0.26217
2850
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
LGE(鲁光)
DB-1
¥0.26442
175
正向压降(Vf):1.1V@2.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
LGE(鲁光)
SMC
¥0.26442
1025
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A
晶导微电子
TO-252-2
¥0.266
180
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.216384
1405
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):120 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA
LGE(鲁光)
DBS
¥0.2703
1195
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A
SMC(桑德斯)
DO-15
¥0.272
70
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
R-6
¥0.27495
5790
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:6A
DIODES(美台)
SMA
¥0.27
18254
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1200 V
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.27436
355
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
晶导微电子
TO-252
¥0.2826
1990
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA@800V
SUNMATE(森美特)
R-6
¥0.312645
370
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@400V
ROHM(罗姆)
SC-79
¥0.290232
2715
正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:30mA,反向电流(Ir):500nA@30V
晶导微电子
TO-252-2
¥0.2938
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:6A
LGE(鲁光)
DO-213AB
¥0.2938
2550
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:1A
Comchip(典琦)
SOD-123FL
¥0.2964
10
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-214AC
¥0.2992
13803
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1uA@800V
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.24912
100
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:8A
LGE(鲁光)
SMB
¥0.3055
2245
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
晶导微电子
TO-252
¥0.3072
1210
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:4A
晶导微电子
TO-252-2
¥0.22
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:4A
Comchip(典琦)
SOD-123FL
¥0.3091
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SMC
¥0.3185
7149
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A
VISHAY(威世)
SMB(DO-214AA)
¥0.32
141610
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 1.5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SMC
¥0.217
5
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
LRC(乐山无线电)
SMC
¥0.3522
0
正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA