VISHAY(威世)
ITO-220AB
¥12.44
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):880 mV @ 15 A
VISHAY(威世)
-
¥7.01
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 8 A
停产
VISHAY(威世)
TO-220AC
¥3.03
0
二极管类型:SiC (Silicon Carbide) Schottky,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V,电流 - 平均整流 (Io):6A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 6 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Digi-Key 停止提供
Littelfuse(美国力特)
TO-247AD
¥44.03
3
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):25A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 25 A
TECH PUBLIC(台舟)
DFN0603-2
¥0.1075
920
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):530mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
VISHAY(威世)
SOT-23-3
0
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥1.562
3
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):765 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-220F
¥0.8395
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 5 A
晶导微电子
TO-220AB
¥0.8556
5
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):900mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A
LGE(鲁光)
ITO-220AB
¥1.1068
50
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:30A
Digi-Key 停止提供
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.3486
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SOD-323
¥1.14
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.12657
2896
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):75mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 250 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YFW(佑风微)
TO-263
¥2.72
5
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):720mV,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
SMC(桑德斯)
TO-220AB
¥1.6875
1
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
ITO-220AC
¥1.0847
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 100 V
SMC(桑德斯)
ITO-220AB-3
¥2.89
5
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
TO-220F-3
¥2.66
3
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
DO-221AC(SMA-FL)
¥0.9914
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMC(DO-214AB)
¥0.8992
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SOT-323
¥0.1019
0
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
PANJIT(强茂)
DFN1006-2L
¥0.0815
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PANJIT(强茂)
DO-214AA(SMB)
¥0.3279
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.242
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):740 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
TO-220AB
¥1.13
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 10 A
停产
PANJIT(强茂)
TO-220AB-3
¥1.33
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 10 A
PANJIT(强茂)
DO-214AA(SMB)
¥3.58
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Prisemi(芯导)
SMBF
¥0.2245
10
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
PANJIT(强茂)
TO-247AD(TO-3P)
¥2.7072
87
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 15 A
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-123F
¥1.46
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):385 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
D2PAK
¥2.43
3
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@7.5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:15A
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.5695
8
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.4069
100
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.1091
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@10mA,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:100mA
MDD(辰达行)
SMB
¥0.4378
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):430mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
晶导微电子
ITO-220ABW
¥0.9263
0
正向压降(Vf):920mV@15A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:30A,反向电流(Ir):50uA@200V
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.4032
0
正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A,反向电流(Ir):50uA
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.06291
5840
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):600mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
PANJIT(强茂)
ITO-220AB
¥2.09
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):410mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥2.38
0
正向压降(Vf):800mV@15A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:30A
Tokmas(托克马斯)
SOD-323
¥0.1792
0
正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):10V,整流电流:3A
BLUE ROCKET(蓝箭)
DO-214AD
¥0.3113
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:5A
LRC(乐山无线电)
TO-277A
¥0.8256
1050
正向压降(Vf):880mV,直流反向耐压(Vr):200V
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.055
0
正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
onsemi(安森美)
DO-201AD
¥2.38
0
正向压降(Vf):670mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@60V
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.1987
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:120mA
MDD(辰达行)
SMBF
¥0.228
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
晶导微电子
TO-220AB
¥0.6048
50
正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A,反向电流(Ir):50uA@200V
AnBon(安邦)
SOD-523
¥0.1304
20
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.2076
8277
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):580 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度