YFW(佑风微)
SMAF
¥0.1526
590
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
YFW(佑风微)
SMB
¥0.142595
2740
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@60V
Slkor(萨科微)
SOT-363
¥0.07285
290
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
YANGJIE(扬杰)
SOT-323(SC-70)
¥0.07182
1680
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.160921
1280
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):15mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.2432
80
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):730 mV @ 15 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SOT-23-3L
¥0.145
7565
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.11093
49830
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):50uA@60V
MSKSEMI(美森科)
SMAF
¥0.156275
2750
正向压降(Vf):670mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):20uA@100V
SHIKUES(时科)
SMC
¥0.04821
18520
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
晶导微电子
SMBF
¥0.1485
10
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
晶导微电子
SMB
¥0.1485
64242
正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@150V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.12264
14572
正向压降(Vf):410mV@1.0mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,反向电流(Ir):100nA@50V
LRC(乐山无线电)
SMB
¥0.1492
20320
正向压降(Vf):700mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,工作结温范围:-50℃~+150℃
DIODES(美台)
X3-WLB0603-2
¥0.156
11695
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):380 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.1617
9821
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):15mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.1106
1780
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SOT-323(SC-70)
¥0.155
34404
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.142215
2980
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
PANJIT(强茂)
DO-41
¥0.1517
40
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,工作结温范围:-55℃~+150℃
SMC(桑德斯)
SMA
¥0.1523
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.158
36471
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
SOD-523F
¥0.2062
20
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA
¥0.1542
0
正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@40V
ROHM(罗姆)
TO-236-3(SOT-23-3)
¥0.15433
61215
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@10mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA
TOSHIBA(东芝)
SC-79
¥0.1163
14218
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.15
9042
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
X3-DFN0603-2
¥0.16016
4
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(先科)
SOT-363
¥0.1561
2890
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.1576
17790
二极管配置:独立式,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA,反向电流(Ir):5uA@75V
Slkor(萨科微)
SMAF
¥0.0805
1640
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
ROHM(罗姆)
SOD-923
¥0.11
41802
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):440 mV @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SOD-523
¥0.1616
47840
正向压降(Vf):600mV@100mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):5uA@40V
YANGJIE(扬杰)
DO-15
¥0.1631
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SMC
¥0.16464
430
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
Prisemi(芯导)
SMAF
¥0.1646
140
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
GOODWORK(固得沃克)
DO-27
¥0.166685
340
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
JUXING(钜兴)
DO-214AC(SMA)
¥0.16188
4140
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
YANGJIE(扬杰)
SMAF(DO-214AD)
¥0.108
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMAF
¥0.1672
1030
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@45V
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.15867
1740
正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@50V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.168
7243
正向压降(Vf):550mV@0.5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA,工作结温范围:-40℃~+125℃
SHIKUES(时科)
SMB
¥0.15072
100961
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.1738
22018
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):410 mV @ 1 mA
ST(先科)
MiniMELF
¥0.1232
0
正向压降(Vf):1V@4mA,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:50mA,反向电流(Ir):50uA@10V
BLUE ROCKET(蓝箭)
SMB
¥0.1715
5010
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
AnBon(安邦)
SOD-123
¥0.1725
20
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SC-90
¥0.26791
42445
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
BLUE ROCKET(蓝箭)
SMBF
¥0.2266
13905
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
停产
VISHAY(威世)
SOD-523
¥0.175
4
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度